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J-GLOBAL ID：202002253864737918   整理番号：20A0079883

シリコン太陽電池における限界光変換効率に及ぼす温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Temperature on Limit Photoconversion Efficiency in Silicon Solar Cells

著者 (4件)： Sachenko Anatoly (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine) ,  Kostylyov Vitaliy (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine) ,  Sokolovskyi Igor (V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine) ,  Evstigneev Mykhaylo (Department of Physics and Physical Oceanography, Memorial University of Newfoundland, St. John’s, NL, Canada)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 10  号： 1  ページ： 63-69  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 理想的なシリコン太陽電池の光変換効率と温度係数をベース厚さの関数として理論的に調べた。効率は非単調的に依存するが,温度係数は厚さとともに対数的に増加することが分かった。25°Cの温度でAM1.5G照明条件下で,厚さ90μmにおける最大効率値29.7%を得た。温度係数は,最適ベース厚さで0.234%/Kの値を有した。非理想太陽電池についても同様の計算を行い,その中で外因性再結合機構,ドーピング,寄生直列およびシャント抵抗が役割を果たしている。シャント抵抗を除いて,これらの因子の全てが理想太陽電池に対して得られた値と比較して温度係数の増加をもたらすことを示した。言い換えれば,理想太陽電池で得られた厚さ依存値は,シャント効果が無視できる場合,効率温度係数の理論的下限である。対照的に,シャント抵抗は,理想的太陽電池に対して得られた値と比較して,温度係数の更なる減少をもたらす。太陽電池設計におけるこれらの知見の意味を論じた。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ドーピング ,  照明条件 ,  *太陽電池 ,  対数 ,  再結合 ,  温度係数
準シソーラス用語： シャント抵抗 ,  光変換 ,  変換効率 ,  *シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン太陽電池 ,  限界 ,  変換効率