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J-GLOBAL ID：202002253925542459   整理番号：20A2549453

Bi_1.8Sb_0.2Te_1.5Se_1.5(BSTS)単結晶の単結晶成長と構造キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Single crystal growth and structural characterization of Bi_1.8Sb_0.2Te_1.5Se_1.5 (BSTS) single crystal

著者 (3件)： Ghose P. K. (School of Physical Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata 700032, India.) ,  Dalui T. K. (School of Physical Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata 700032, India.) ,  Giri Saurav (School of Physical Sciences, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata 700032, India.)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 2265  号： 1  ページ： 030423-030423-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクBi_1.8Sb_0.2Te_1.5Se_1.5単結晶の単結晶成長およびX線回折特性を報告する。Bi_1.8Sb_0.2Te_1.5Se_1.5の単結晶を改良Bridgman法により成長させた。{0,0,3}面に対応する回折ピークはc方向に沿った結晶の成長を明らかにした。Rietveld精密化を用いたX線回折パターンの解析は相純度を確認し,R-3m空間群を有する菱面体晶構造を確認した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  回折 ,  空間群 ,  *単結晶 ,  X線回折分析 ,  純度 ,  Bridgman法 ,  三方晶系 ,  精密化 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： *単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  熱電デバイス  (NC03090J) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶 ,  単結晶成長 ,  キャラクタリゼーション