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J-GLOBAL ID:202002253998993291   整理番号:20A1780042

Curie温度(T_c)以下のTGS結晶成長【JST・京大機械翻訳】

TGS crystal growth below and above Curie temperature (Tc)
著者 (10件):
資料名:
巻: 546  ページ: Null  発行年: 2020年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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強誘電性トリグリシン硫酸塩(TGS)単結晶を,そのCurie温度(T_c)以下で,通常の低速冷却と一方向溶液成長法によって成長させた。従来の成長法におけるTGS結晶の形態の発展をレーザシャドウグラフィーを用いてオンラインおよびその場で画像化し,a,bおよびc軸に沿った結晶の成長速度を両温度領域で測定した。T_c以上で成長した結晶の成長速度はT_c以下で成長した結晶のそれよりも高いことが分かった。[010]極性方向に沿って配向し,大きな(010)晶癖面を持つTGS結晶を,Sankaranarayanan-Ramasamy(SR)一方向溶液成長法によりCurie温度(T_c)以下で成長させ,それより上回った。SR成長過程の時間減衰写真を通常の時間間隔で捕捉し,それから,[010]方向に沿った結晶の成長速度を,T_c以下で成長した結晶に対して,それぞれ1.5および2.2mm/日と計算した。成長条件を最適化し,成長した結晶の寸法は,T_cと35mmの長さで60mmの長さと15mmの直径で,T_c以上で15mmの直径であった。シャドウグラフィーを用いて,成長TGS結晶周辺の浮力駆動対流パターンについて画像化し,結晶の寸法と成長時間に伴うこの活性の漸進的な増大を調べた。シャドウグラフィーも用いて,T_c以下で成長するTGS結晶の形態の発展をマッピングし,3つの主な結晶学的方向に沿った成長速度を計算した。Mach-Zehnder干渉法を用いて,成長中の晶析装置における濃度勾配の画像発展を画像化した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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有機化合物の結晶成長  ,  非線形光学 
タイトルに関連する用語 (3件):
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