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J-GLOBAL ID：202002254179844287   整理番号：20A2004991

AB積層二層グラフェンのフォノン特性に対する13C同位体と空孔の複合効果【JST・京大機械翻訳】

Combined effect of ¹³C isotope and vacancies on the phonon properties in AB stacked bilayer graphene

著者 (6件)： Anindya Khalid N. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering &Technology, Khulna, 9203, Bangladesh) ,  Anindya Khalid N. (School of Electrical Engineering and Computer Science, University of Ottawa, Ottawa, ON K1N 6N5, Canada) ,  Islam Md. Sherajul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering &Technology, Khulna, 9203, Bangladesh) ,  Hashimoto Akihiro (Graduate School of Engineering, University of Fukui, Fukui, 910-8507, Japan) ,  Park Jeongwon (School of Electrical Engineering and Computer Science, University of Ottawa, Ottawa, ON K1N 6N5, Canada) ,  Park Jeongwon (Department of Electrical and Biomedical Engineering, University of Nevada, Reno, USA)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 168  ページ： 22-31  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AB積層二層グラフェン(BLG)のフォノン特性に及ぼす13C同位体と空孔の複合効果を理論的に調べた。両層で同位体含有量(0~100%)と空孔(0~30%)を変化させ,強制振動法を用いてBLGの上部層でのみフォノン状態密度(PDOS)を計算した。これらの2つの欠陥の同位体と空孔または併合の両方が,PDOS,特に,RamanGバンドの原因となるE_2gモードフォノンに著しく影響を及ぼし,欠陥濃度の増加に伴って下方にシフトすることを見出した。さらに,13C同位体が上層でのみ誘導されると,E_2gピークは,BLGのRamanスペクトルにおける13C/12C依存性Gピーク分裂の実験結果と良く対応する2つのピークに分裂する。また,BLGにおける欠陥誘起フォノン局在化も調べた。計算した典型的なモードパターンから,高周波光学フォノンは,13C同位体と空格子点欠陥BLGを併合するだけでなく,空格子点中に強く局在化していることがわかった。計算した平均局在化長は,強いフォノン局在化が60%13C同位体濃度で存在することに注目した。これらの知見はBLGにおける熱輸送と同様に実験的に観測されたRamanスペクトルを理解するために重要である。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  強制振動 ,  *同位体 ,  *フォノン ,  HF【周波数】 ,  モードパターン ,  上層 ,  複合欠陥
準シソーラス用語： 光学フォノン ,  局在化 ,  フォノン状態密度 ,  熱輸送 ,  *二層グラフェン ,  複合作用 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： フォノン局在化 ,  二層グラフェン ,  同位体 ,  空格子点 ,  複合欠陥

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二層グラフェン ,  フォノン ,  同位体 ,  空孔 ,  複合効果