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J-GLOBAL ID：202002254214879191   整理番号：20A2239220

3層構造4H-SiC基板に形成したイオン注入層の非接触・非破壊電気特性評価

Non-destructive Measurement of Electrical Properties of Ion Implanted 4H-SiC Wafer with 3 Layers

著者 (8件)： 佐藤希一 (立命館大) ,  藤井高志 (立命館大) ,  藤井高志 (日邦プレシジョン) ,  荒木努 (立命館大) ,  毛利真一郎 (立命館大) ,  石地耕太朗 (九州シンクロトロン光研究セ) ,  岩本敏志 (日邦プレシジョン) ,  杉江隆一 (東レリサーチセ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15a-A201-7  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 我々のグループではこれまでTHz一時間領域分光エリプソメトリー(以下、THz-TDSE)を用いて4H-SiCの高濃度Pイオン注入層について非接触・非破壊で電気特性評価が可能であることを報告してきた[1]。本研究では、実用デバイスで使用され...【本文一部表示】

シソーラス用語： *イオン ,  屈折 ,  屈折率 ,  *イオン注入 ,  *炭化ケイ素 ,  *電気特性 ,  窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション ,  バッファ層 ,  アモルファス化
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  高濃度 ,  非接触 ,  周波数スペクトル ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 3層構造 ,  4H-SiC ,  イオン注入 ,  非接触 ,  電気特性 ,  評価