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J-GLOBAL ID：202002254297617237   整理番号：20A2238201

BAlNおよびBGaN混晶薄膜の構造安定性および混和性に関する理論的検討

Theoretical study for structural stability and miscibility in BAlN and BGaN alloy thin films

著者 (5件)： 長谷川裕也 (三重大 大学院) ,  秋山亨 (三重大 大学院) ,  PRADIPTO A.-M. (三重大 大学院) ,  中村浩次 (三重大 大学院) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-PB1-26  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： はじめに. 近年、バルク状態ではウルツ鉱(WZ)構造が安定であるAlNがAg(111)基板上にヘキサゴナル(Hex)構造で成長することが報告されている[1]。さらに、graphene/SiC(0001)界面において2層からなる二次元GaNが...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  化学結合 ,  *固溶体 ,  *薄膜 ,  核間距離 ,  *相溶性 ,  閃亜鉛鉱 ,  臨界 ,  安定構造 ,  二次元 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  凝集エネルギー
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： 混晶 ,  薄膜 ,  構造安定性 ,  混和性 ,  理論