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J-GLOBAL ID：202002254301073403   整理番号：20A1235621

Agナノインク電極表面の酸化処理による有機電界効果トランジスタ特性の改善

Improvement of organic field-effect transistor characteristics via oxidation treatment of Ag nano-ink electrode surfaces

著者 (5件)： Minagawa Masahiro (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Minagawa Masahiro (Institute of Science and Technology, Niigata University, Niigata 950-2181, Japan) ,  Kobayashi Kanta (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Sone Shinnosuke (National Institute of Technology, Nagaoka College, 888 Nishikatakai, Nagaoka, Niigata 940-8532, Japan) ,  Shinbo Kazunari (Institute of Science and Technology, Niigata University, Niigata 950-2181, Japan)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 59  号： SC  ページ： SCCA03 (6pp)  発行年： 2020年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面酸化Agナノインク電極を用いた有機電界効果トランジスタ(OFET)を作製し,その電気的特性を調べた。ゲート電極/n型Siウェハ/SiO₂をオクタデシルトリクロロシランで処理したAgナノインクソース・ドレイン電極/9,10-ジフェニルアントラセン(DPA)層を積層した構造のOFETを作製した。銀ナノインク電極は,DPA層を蒸着する前に184.9nmと253.7nmの紫外光を照射して酸化させた。酸化されていない電極を持つOFETは動作しなかったが,酸化された電極を持つOFETのドレイン電流は酸化時間とともに増加した。最大のドレイン電流(-269μA)は,600秒の電極酸化時間を持つOFETで得られ,これは,DPA層の大きなイオン化電位(約5.8eV)にもかかわらず,9.5kΩcmに接触抵抗を減少させる結果となった。これは,酸化されたAg電極がDPA層の表面を酸化して正孔注入を促進したためと考えられる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インク ,  *銀 ,  *表面 ,  *処理 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電気的性質 ,  紫外線 ,  電流 ,  イオン化ポテンシャル ,  接触抵抗 ,  キャリア注入
準シソーラス用語： *ナノインク ,  *電極表面 ,  *酸化処理 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  電気的特性 ,  紫外光 ,  ドレイン電流 ,  イオン化電位 ,  正孔注入

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： オクタデシルトリクロロシラン ,  9,10-ジフェニルアントラセン

タイトルに関連する用語 (5件)： Ag ,  ナノインク ,  電極表面 ,  酸化処理 ,  有機電界効果トランジスタ