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J-GLOBAL ID：202002254403653745   整理番号：20A1920583

ニューロモルフィックシステムのためのZrO_2/ZTO二層メモリスタデバイスにおける制御可能なアナログ抵抗スイッチングとシナプス特性【JST・京大機械翻訳】

Controllable analog resistive switching and synaptic characteristics in ZrO₂/ZTO bilayer memristive device for neuromorphic systems

著者 (4件)： Ismail Muhammad (School of Electronics Engineering, Chungbuk National University, Cheongju 28644, Republic of Korea) ,  Abbas Haider (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Choi Changhwan (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Republic of Korea) ,  Kim Sungjun (Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 529  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 人工シナプスデバイスの開発は,効率的なバイオインスパイアード神経形態学的コンピューティングシステムの実現のための重要なステップである。本研究では,二分子層ZrO_2/ZTOベースの電子シナプスデバイスを神経形態学的コンピューティングのための脳機能のより良いエミュレーションのために作成した。ZrO_2/ZTOスイッチング層を用いて,シナプス機能のエミュレーションのための安定で連続的なスイッチングを達成した。導電性フィラメントの成長および破断は,SET-コンプライアンス電流(CC,1mAから10mAまで0.5mA増加)およびRESET-電圧(1.0Vから2.0V,0.025V増加)を,SETおよびRESETプロセス中にそれぞれ調節することによって効率的に制御できた。必須のシナプス機能をエミュレートするために,適切なパルス刺激で増分スイッチング特性を利用した。長期増強(LTP),長期鬱病(LTD),スパイク速度依存性可塑性(SRDP),対パルス促進(PPF),およびポストテタニック増強(PTP)を含むいくつかの基本シナプス機能を模倣するために,種々のパルス測定を行った。最後に,スパイクタイミング依存塑性(STDP)学習挙動を成功裏にエミュレートし,神経形態学的応用のためのZrO_2/ZTOベース電子シナプスデバイスの実現可能性を実証した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塑性 ,  電圧 ,  電流 ,  学習 ,  計算機システム ,  コンプライアンス ,  *シナプス ,  速度依存性 ,  エミュレーション ,  多重化 ,  パルス ,  長期増強
準シソーラス用語： *抵抗スイッチング ,  *メモリスタ ,  神経形態学 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 多重状態 ,  神経形態計算 ,  生物学的シナプス ,  ZrO_2/ZTOメモリスタ ,  抵抗スイッチング

分類 (5件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  医用素材  (GA05040H) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二層 ,  メモリスタ ,  アナログ ,  抵抗スイッチング ,  シナプス