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J-GLOBAL ID：202002254522117840   整理番号：20A1624072

広帯域雑音発生器ダイオードの物理的パラメータ【JST・京大機械翻訳】

Physical Parameters of the Broadband Noise-Generator Diodes

著者 (7件)： Buslyuk V. V. (Brest State Technical University, Brest, Belarus) ,  Odzhayev V. B. (Belarusian State University, Minsk, Belarus) ,  Panfilenko A. K. (AOA INTEGRAL Holding Management Company, Minsk, Belarus) ,  Petlitsky A. N. (AOA INTEGRAL Holding Management Company, Minsk, Belarus) ,  Prosolovich V. S. (Belarusian State University, Minsk, Belarus) ,  Filipyenya V. A. (AOA INTEGRAL Holding Management Company, Minsk, Belarus) ,  Yankovsky Yu. N. (Belarusian State University, Minsk, Belarus)
資料名： Russian Microelectronics  (Russian Microelectronics)
巻： 49  号： 4  ページ： 295-301  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4926A  ISSN： 1063-7397  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平面技術により単結晶シリコン基板上に作製したシリコン雑音-発電機ダイオードの物理的パラメータを,電流-電圧特性(I-V曲線)と容量-電圧特性(C-V曲線)の測定の方法によって研究した。発電機ダイオードにおける逆電流の値は,結晶の体積によって不均一に分布したマイクロプラズマ(MP)の基底を形成するプロセス関連(バックグラウンド)不純物のイオン化によって決定されることが分かった。発電機ダイオードのp-n接合のアバランシェ破壊は,おそらく,基板の材料のドーピングの局所不均一性に関係するMPsの関与と,銅や鉄のようなプロセス関連(バックグラウンド)不純物の深準位不純物の電気イオン化に起因する。Copyright Pleiades Publishing, Ltd. 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： PN接合 ,  イオン化 ,  *雑音 ,  *ダイオード ,  不純物 ,  鉄 ,  銅 ,  雑音発生器 ,  電流電圧特性 ,  ドーピング ,  *雑音発生 ,  不均一性 ,  *広帯域 ,  深い準位
準シソーラス用語： マイクロプラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 雑音発生ダイオード ,  マイクロプラズマ ,  p-n接合 ,  プロセス関連不純物

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： 広帯域 ,  雑音発生器 ,  ダイオード ,  物理 ,  パラメータ