文献

J-GLOBAL ID：202002254564547799   整理番号：20A0886487

高パワーエレクトロニクス応用のための十分な界面熱コンダクタンスを有する高熱伝導性グラファイト複合材料上のGaNの結合【JST・京大機械翻訳】

Bonding GaN on high thermal conductivity graphite composite with adequate interfacial thermal conductance for high power electronics applications

著者 (3件)： Li Lei (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Fukui Aozora (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan) ,  Wakejima Akio (Department of Electrical and Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, Gokiso-cho, Showa-ku, Nagoya 466-8555, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 14  ページ： 142105-142105-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高熱伝導率グラファイト複合材料(GC)上にGaNを結合することにより,効率的な熱輸送ハイブリッド構造を実証した。空気ボイドや亀裂のない微細接合界面の不均一GaN/GCを確認した。より興味深いことに,GC上に結合したGaNは,応力フリーで,デバイス性能に対して非常に有益であり,その劣化は,製造およびパッケージングプロセスによって誘起される応力に部分的に曝される。さらに,GaN/GC界面を横切る熱境界コンダクタンス(TBC)は,TiとGCの間の測定したTBCに基づいて約67MW/m2Kと正確に推定され,修正拡散不整合モデルを用いた予測と非常に良く一致した。有限要素モデル化の結果によると,GaN-on-GCパワートランジスタは,市販のGaN-on-SiCおよびGaN-on-Siトランジスタと比較して,GCの高い熱伝導率およびGaN/GC界面を横切る適切なTBCにより,優位性を示し,大幅に改善された熱性能を有する。著者らの発見は,高周波増幅器,高電圧電力スイッチ,および高絶縁破壊電圧ダイオードを含むGaN系次世代高パワーエレクトロニクスにおける熱管理応用の有望な代替熱拡散基板候補としてのGCの可能性を強調する。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 亀裂 ,  *グラファイト ,  *パワーエレクトロニクス ,  電力 ,  炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  熱拡散 ,  トランジスタ ,  複合構造 ,  電力トランジスタ ,  *界面 ,  チタン ,  熱伝導率 ,  *コンダクタンス ,  ダイオード

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (8件)： パワーエレクトロニクス ,  応用 ,  界面 ,  熱コンダクタンス ,  高熱伝導性 ,  グラファイト ,  複合材料 ,  GaN