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J-GLOBAL ID：202002254566358365   整理番号：20A0208835

単分子層六方晶系窒化ホウ素【JST・京大機械翻訳】

Piezoelectricity in Monolayer Hexagonal Boron Nitride

著者 (13件)： Ares Pablo (Department of Physics & Astronomy and National Graphene Institute, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK) ,  Cea Tommaso (Imdea Nanociencia, Faraday 9, Madrid, 28049, Spain) ,  Holwill Matthew (Department of Physics & Astronomy and National Graphene Institute, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK) ,  Wang Yi Bo (Department of Physics & Astronomy and National Graphene Institute, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK) ,  Roldan Rafael (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, Sor Juana Ines de la Cruz 3, Madrid, 28049, Spain) ,  Guinea Francisco (Imdea Nanociencia, Faraday 9, Madrid, 28049, Spain) ,  Guinea Francisco (Department of Physics & Astronomy, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK) ,  Andreeva Daria V. (Department of Materials Science and Engineering, National University of Singapore, Singapore, 117575, Singapore) ,  Fumagalli Laura (Department of Physics & Astronomy and National Graphene Institute, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK) ,  Novoselov Konstantin S. (Department of Physics & Astronomy and National Graphene Institute, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK) ,  Novoselov Konstantin S. (Centre for Advanced 2D Materials, National University of Singapore, Singapore, 117546, Singapore) ,  Novoselov Konstantin S. (Chongqing 2D Materials Institute, Liangjiang New Area, Chongqing, 400714, China) ,  Woods Colin R. (Department of Physics & Astronomy and National Graphene Institute, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 32  号： 1  ページ： e1905504  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D六方晶窒化ホウ素(hBN)は,例外的な強度,高温での大きな酸化抵抗,および光学的機能性を含む独特の性質の組合せを有する広いバンドギャップのvan der Waals結晶である。さらに,近年,hBN結晶は,オプトエレクトロニクスおよびトンネルデバイスから複合材料への種々の技術応用において,他の2D結晶をカプセル化するための選択材料となっている。対称性の中心を持たない単層hBNは圧電特性を示すと予測されているが,実験的証拠は不足している。ここでは,静電力顕微鏡を用いて,この効果を,理論計算と一致して,気泡としわの周りの局所電場における歪誘起変化として観察した。対称性の中心が回復する二層およびバルクhBNにおいて圧電性は見られなかった。これらの結果は単分子層hBNの既知の特性に圧電性を付加し,新しい電気機械と伸縮可能な光電子デバイスの望ましい候補となり,歪を介してvan der Waalsヘテロ構造の局所電場とキャリア濃度を制御する方法を開く。ここで用いた実験アプローチは,静電走査プローブ技術を用いてナノスケール上の他の材料の圧電特性を調べる方法も示した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  高温 ,  プローブ ,  電気機械 ,  結晶 ,  対称性 ,  耐酸化性 ,  二次元 ,  オプトエレクトロニクス ,  *単分子層 ,  圧電気 ,  複合材料 ,  走査 ,  気泡 ,  バンドギャップ

著者キーワード (4件)： 2D材料 ,  静電気力顕微鏡 ,  六方晶系窒化ホウ素 ,  圧電

分類 (2件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (2件)： 単分子層 ,  六方晶系窒化ホウ素