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J-GLOBAL ID：202002254815812132   整理番号：20A0334162

黒リン障壁を有する高品質その場作製Nb Josephson接合【JST・京大機械翻訳】

High-quality in situ fabricated Nb Josephson junctions with black phosphorus barriers

著者 (16件)： Chen Wei (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Xu Zuyu (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Tian Wanghao (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Lv Yangyang (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Yu Mei (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Zhou Xianjing (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Tu Xuecou (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Wu Jingbo (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Li Jun (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Li Songlin (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Jin Biaobing (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Xu Weiwei (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Koelle Dieter (Physikalisches Institut and Center for Quantum Science in LISA+, Universitaet Tuebingen, D-72076 Tuebingen, Germany) ,  Kleiner Reinhold (Physikalisches Institut and Center for Quantum Science in LISA+, Universitaet Tuebingen, D-72076 Tuebingen, Germany) ,  Wang Huabing (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Wu Peiheng (School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 32  号： 11  ページ： 115005 (7pp)  発行年： 2019年 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンドギャップにおける広い同調性と構造異方性のような魅力的な物理的性質のために,黒色リン(BP)は新しい電子デバイスの探索において大きな可能性を有する。しかしながら,空気中で劣化する傾向があるので,電子デバイスを製造するためにBPを使用することは非常に挑戦的である。この課題に取り組むために,界面劣化を最小化し,二つの近接したNb電極間の障壁として数層BPを用いることにより垂直Josephson接合を作製することを可能にするその場作製技術を実証した。接合の電流-電圧特性は低温でヒステリシスであり,接合臨界温度に近づくと非ヒステリシスになる。抵抗状態では,微分コンダクタンスは電圧の減少と共に増加した。マイクロ波誘起Shapiroステップを観測し,acJosephson効果の存在を確認した。電流-電圧特性を解析するための異なるモデルを提示し,電流-電圧特性の抵抗状態がゼロバイアス異常を示すことを結論した。これはAndreev反射により引き起こされると思われる。著者らのin situ作製技術はエレクトロニクス用の空気不安定材料を組み込むための実行可能な方法を示し,それらの独特の機能性を探求する機会を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *黒リン ,  接合 ,  臨界温度 ,  界面 ,  電圧 ,  ヒステリシス ,  Shapiroステップ ,  電流電圧特性 ,  低温 ,  マイクロ波 ,  *Josephson接合 ,  *ニオブ ,  Andreev反射 ,  バンドギャップ ,  電子技術

分類 (1件)： Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 黒リン ,  障壁 ,  高品質 ,  作製 ,  Nb ,  Josephson接合