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J-GLOBAL ID:202002254878204092   整理番号:20A1938895

均一および一軸歪グラフェンにおける点単極子および双極子電気不純物に対する臨界挙動【JST・京大機械翻訳】

Critical behavior for point monopole and dipole electric impurities in uniformly and uniaxially strained graphene
著者 (5件):
資料名:
巻: 102  号:ページ: 045131  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,この材料の膜が均一および一軸歪である場合に拡張した,点電気単極および双極子不純物ポテンシャルの影響下でのグラフェンにおける束縛状態の問題を再検討し,それぞれ,電荷および双極子モーメントの再定義を導いた。異方性Fermi速度を考慮して,各ポテンシャルに対して得られたDirac方程式を解析的に解いた。異方性の影響は,歪が適用される方向に依存して,各種類の不純物に対して起こることが知られている臨界挙動を促進または抑制すること,すなわち,単極不純物に対して原子崩壊,および双極子不純物に対して,普遍的Efimov様スケーリングを有する無限に多くの束縛状態のカスケードの出現が,歪により,より少ないあるいはより制限的な条件下で起こる現象である,ことを観察した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
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炭素とその化合物  ,  半導体結晶の電子構造 

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