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J-GLOBAL ID：202002254976198995   整理番号：20A1068679

非晶質SiO_2上に堆積したIII-Vマイクロおよびナノレーザ【JST・京大機械翻訳】

III-V micro- and nano-lasers deposited on amorphous SiO₂

著者 (7件)： Han Yu (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Yan Zhao (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Ng Wai Kit (Department of Physics and William Mong Institute of Nano Science and Technology, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Xue Ying (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Ng Kar Wei (Institute of Applied Physics and Materials Engineering, University of Macau, Avenida da Universidade, Macau 999078, China) ,  Wong Kam Sing (Department of Physics and William Mong Institute of Nano Science and Technology, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Lau Kei May (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 116  号： 17  ページ： 172102-172102-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 産業標準Siプラットフォーム上のIII-Vレーザの直接成長は完全集積Siフォトニクスの鍵である。Si基板上の通常のIII-Vヘテロエピタクシーは不整合界面で発生する結晶欠陥により形成され,厚いバッファはしばしば問題を緩和するために使用される。ここでは,非晶質SiO_2層上の室温III-Vマイクロおよびナノレーザの直接蒸着について報告する。結晶基板を必要とせずに,長時間にわたる格子不整合問題に対処する必要がないので,非晶質SiO_2層上の転位のないIII-Vナノピラーとマイクロ島の直接ヘテロエピタクシーを実証した。エピタキシャルInP結晶を低屈折率環境内に埋め込むと,光励起下で成長したままのInP微結晶からの強い室温レーザ発振を観測した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  界面 ,  格子欠陥 ,  微結晶 ,  光ポンピング ,  *ケイ素 ,  リン化インジウム ,  蒸着 ,  レーザ発振 ,  格子不整合 ,  ヘテロエピタクシー
準シソーラス用語： ナノピラー ,  シリコンウエハ ,  シリコンフォトニクス ,  二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (2件)： 堆積 ,  ナノレーザ