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J-GLOBAL ID：202002255130207109   整理番号：20A2223428

トランジスタ様ナノ構造におけるスピン依存過渡電流【JST・京大機械翻訳】

Spin-dependent transient current in transistor-like nanostructures

著者 (4件)： Asano Katsuya (Graduate School of Quantum Science and Technology, Nihon University, 1-8-14 Kanda Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo 101-8308, Japan) ,  Sako Tokuei (Graduate School of Quantum Science and Technology, Nihon University, 1-8-14 Kanda Surugadai, Chiyoda-ku, Tokyo 101-8308, Japan) ,  Sako Tokuei (Laboratory of Physics, College of Science and Technology, Nihon University, 7-24-1 Narashinodai, Funabashi, Chiba 274-8501, Japan) ,  Ishida Hiroshi (College of Humanities and Sciences, Nihon University, 3-25-40 Sakura-Josui, Tokyo 156-8550, Japan)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 32  号： 43  ページ： 435302 (13pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トランジスタ様ナノ構造における過渡電流を,3つの量子井戸,ΔΣソース,ΔΔゲート,およびΔΣドレインから成る一次元有効ポテンシャルに閉じ込められた数電子のモデルによって研究した。電子に対する時間依存Schroedinger方程式をシンプレクティック積分法に依存して積分し,過渡電流をドレイン領域の遠端に置かれた複素吸収ポテンシャルにより吸収される電子の確率密度関数のフラックスとして計算した。電子は,与えられたスピン多重度に対して最低エネルギー状態としてソース領域に最初に配置され,ソース-ドレイン電流は異なるゲート電位高さに対して計算された。異なるスピン配置に対する電流はゲート電位の異なる値で強い発光を示し,スピン非分極正常電流から特定のスピン配置で電流を抽出するための研究したナノ構造の使用を示唆した。電子相関に対する電流放出の依存性も,ソースドメインのサイズを変えることによって研究した。電流は,媒質と強い閉じ込め領域に対する異なるスピン配置に対してかなりの差を示し,一方,これらの差異は,より小さな閉込めで小さくなり,閉じ込めの弱い限界で減少する傾向がある。この観測された傾向はWigner格子状態の形成に基づいて合理化された。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電流 ,  *トランジスタ ,  分極 ,  合理化 ,  電子相関 ,  媒質 ,  一次元 ,  Wigner結晶 ,  有効ポテンシャル ,  量子井戸 ,  *ナノ構造 ,  確率密度関数
準シソーラス用語： エネルギー状態 ,  ドレイン電流 ,  *過渡電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C) ,  電子構造一般  (BM02010K) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： トランジスタ ,  ナノ構造 ,  スピン ,  過渡電流