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J-GLOBAL ID：202002255418149502   整理番号：20A2241366

シリコン基板上のGaAs太陽電池の固体エピタキシャルリフトオフ(ELO)【JST・京大機械翻訳】

Solid Epitaxial Lift-off (ELO) of GaAs Solar Cell on Silicon Substrate

著者 (5件)： ZHANG Ziqi (Univ. of Tokyo) ,  WATANABE Kentaroh (Univ. of Tokyo) ,  SODABANLU Hassanet (Univ. of Tokyo) ,  NAKANO Yoshiaki (Univ. of Tokyo) ,  SUGIYAMA Masakazu (Univ. of Tokyo)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-A202-7  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

本文一部表示： エピタキシャルリフトオフ(ELO)は,放出層の選択的エッチングにより基板から光起電力層を分離する方法であり,そこでは,分離基板をリサイクルでき,高価なIII-V太陽電池デバイス(そのようなデバイスのコストの約1/3)の全体的なコストを低減す...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： エッチング ,  応力解析 ,  光起電力 ,  シミュレーション ,  *太陽電池 ,  *ケイ素 ,  脆性 ,  *ヒ化ガリウム ,  ワックス ,  ヒ化アルミニウム ,  MOCVD
準シソーラス用語： *シリコンウエハ ,  多重接合 ,  曲げ半径 ,  SEM画像 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  GaAs ,  太陽電池 ,  固体 ,  エピタキシャルリフトオフ