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J-GLOBAL ID：202002255483636863   整理番号：20A0521475

2D-WS_2/GaAs II型Zenerヘテロ接合に基づく超高感度自己駆動広帯域光検出器【JST・京大機械翻訳】

An ultrasensitive self-driven broadband photodetector based on a 2D-WS₂/GaAs type-II Zener heterojunction

著者 (10件)： Jia Cheng (Key Laboratory of Materials Physics of Ministry of Education, School of Physics and Microelectronics, Zhengzhou University, Zhengzhou, 450052, P. R. China. [e-mail] [e-mail]) ,  Huang Xiaowen ,  Wu Di ,  Tian Yongzhi ,  Guo Jiawen ,  Zhao Zhihui ,  Shi Zhifeng ,  Tian Yongtao ,  Jie Jiansheng ,  Li Xinjian
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 12  号： 7  ページ： 4435-4444  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能広帯域光検出器は,オプトエレクトロニクス応用におけるそれらの重要性のために,広範囲な研究関心を引き付けて本研究では,WS_2/GaAs II型van der Waalsヘテロ接合からなる高感度室温(RT)広帯域光検出器を実証した。これはバンドギャップの限界を超えて200から1550nmまでの広帯域光照射に対して明らかな光応答を示した。約59.7pAの低雑音電流,最大527mA W-1までの高感度,10~7の超高I_光/I_暗比,1.03×1014Jonesの大きな比検出能,17nW cm-2の最小検出光強度,80%までの外部量子効率(EQE)の観点から,印象的な素子性能を達成した。過渡光応答測定により,本検出器は10kHzまでの3dB遮断周波数と21.8/49.6μsの対応する立上り/降下時間で高周波数で動作できることを明らかにした。特に,このヘテロ接合素子は,-4Vのしきい値電圧をもつZenerトンネリング挙動を実証した。ヘテロ接合の容量-電圧(C-V)特性を調べ,素子性能を理解した。さらに,作製した素子は顕著なイメージング能力を有する画像センサとして機能できる。上記の優れた特徴を考慮して,提案したWS_2/GaAs II型van der Waalsヘテロ接合は,高性能広帯域光検出応用において大きな可能性を見出す可能性がある。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光検出器 ,  電流 ,  画像処理 ,  バンドギャップ ,  高感度 ,  HF【周波数】 ,  電圧 ,  Zener効果 ,  イメージセンサ ,  *二次元 ,  光照射 ,  *広帯域 ,  *光検出 ,  オプトエレクトロニクス ,  *ヘテロ接合

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 2D ,  GaAs ,  ヘテロ接合 ,  高感度 ,  自己 ,  広帯域 ,  光検出器