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J-GLOBAL ID：202002255533672693   整理番号：20A2615760

シリコンフォトニクスにおける超低損失と高消光比TMパス偏光子【JST・京大機械翻訳】

Ultralow Loss and High Extinction Ratio TM-Pass Polarizer in Silicon Photonics

著者 (2件)： Dhingra Nikhil (Department of Electronic Science, University of Delhi South Campus, New Delhi, India) ,  Dell Olio Francesco (Department of Electrical and Information Engineering, Polytechnic University of Bari, Bari, Italy)
資料名： IEEE Photonics Journal  (IEEE Photonics Journal)
巻： 12  号： 6  ページ： ROMBUNNO.6602311.1-11  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2436A  ISSN： 1943-0655  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TM-パス偏光子はフォトニック集積回路(PIC)の極めて重要な構成要素であり,特にバイオセンシング応用を意図している。文献では,いくつかのシリコンTMパス偏光子が提案され,設計され,実験的に実証されているが,それらの挿入損は,PIC内の成分密度を指数的に増大させることを目的とするシリコンフォトニクスの電流傾向と両立しない。ここでは,非対称方向性結合器とモード発展部分の組合せを利用して,波長1.55μmで0.05dBに挿入損失を注意深く最小化するTMパス偏光子を提案し,設計した。適切な技術的解決策の採用は,この記録挿入損失値を38dBに等しい高い消光比に適合する。デバイスフットプリントが2.5μm2の場合,設計は200nmの大きな帯域幅で1.7dB以下の挿入損失と30dB以上の消光比を示した。この設計では,典型的なシリコンフォトニクスオープンアクセス技術プロセスと標準220nmシリコンオンインシュレータ(SOI)ウエハの制約を仮定した。波長1.55μmで0.32dBだけの最悪ケース挿入損失で,合理的な製作不正確さに対する達成された性能の非常に低い感度を示した。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *ケイ素 ,  波長 ,  非対称性 ,  *偏光子 ,  挿入損 ,  光集積回路 ,  帯域幅 ,  バイオセンサ ,  消光比
準シソーラス用語： フットプリント ,  *シリコンフォトニクス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  人工知能  (JE08000Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコンフォトニクス ,  低損失 ,  消光比 ,  Tm ,  パス ,  偏光子