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J-GLOBAL ID:202002255564776951   整理番号:20A0283909

相互作用するトポロジカル絶縁体の境界における異常局在【JST・京大機械翻訳】

Anomalous localization at the boundary of an interacting topological insulator
著者 (6件):
資料名:
巻: 101  号:ページ: 035131  発行年: 2020年 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 2469-9950  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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トポロジー絶縁体(TI)の境界は,その可能な相を制限する異常を示す。例えば,三次元(3D)強および弱TIは,表面上の電子相互作用が弱い場合に,対称性が平均的に保存されると,任意の無秩序で表面伝導率を維持する。しかし,境界異常との強い相互作用と不規則性の相互作用はまだ理論的には扱われていない。ここでは,二次元TIのエッジと三次元の弱いTIの表面に対するこの組み合わせを研究し,異常を保存する「異常な多次元局在化」(AmBL)相に導くことができることを示した。局在螺旋状態のボソン化理論において,πフラックスによる異常Kramersパリティスイッチングがどのように起こるかを論じた。異常は,[数式:原文を参照]ショット雑音による静電検出非線形ホッピング輸送により,局在境界においてプローブできる。3D弱TIにおけるAmBL構築は3D強TIに対して失敗し,それらの異常制限は強い相互作用により識別されることを示唆した。Copyright 2020 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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表面の電子構造  ,  電子輸送の一般理論 
タイトルに関連する用語 (3件):
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