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J-GLOBAL ID：202002255597883845   整理番号：20A1022442

有機熱電体のためのn-DMBi-Hのドーピング機構:水素除去対ヒドリド移動【JST・京大機械翻訳】

Doping mechanisms of N-DMBI-H for organic thermoelectrics: hydrogen removal vs. hydride transfer

著者 (5件)： Zeng Yan (Beijing National Laboratory for Molecular Sciences, CAS Key Laboratory of Organic Solids, CAS Research/Education Center for Excellence in Molecular Sciences, Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China. [e-mail]) ,  Zheng Wenyu ,  Guo Yuan ,  Han Guangchao ,  Yi Yuanping
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 8  号： 17  ページ： 8323-8328  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 効率的なn-ドーピングは,低イオン化ポテンシャルと良好な空気安定性の両方の要求により,有機熱電への大きな挑戦である。近年,N-DMBI-Hは最も成功した溶液処理n型ドーパント前駆体として報告されているが,ドーピング機構は今日まで不明である。ここでは,代表的なn型分子半導体(すなわち,芳香族A-DCV-DPPTTおよびキノイドQ-DCM-DPPTT)にドープされたN-DMBI-Hの水素除去および水素化物移動反応の両方を密度汎関数理論計算により調べた。結果は,N-DMBI-Hが空気安定n型ドーパント前駆体であることを示した。興味深いことに,N-DMBI-H前駆体が半導体分子と会合すると,半導体の強い電子親和性からの支援のために,水素除去と水素化物移動の両方に対する反応エネルギー障壁は実質的に減少する。A-DCV-DPPTT/N-DMBI-H錯体の場合,水素化物移動反応は熱的に活性化される。特に,Q-DCM-DPPTT/N-DMBI-H錯体については,両方の化学反応が起こり,室温で効率的な電荷移動をもたらすことができる。しかし,電荷移動錯体におけるドーパントと半導体分子間の強い結合のために,長距離秩序化分子充填は溶液処理中のQ-DCM-DPPTTに対して破壊され,電荷輸送に有害である。このように,実験的電気伝導率は,A-DCV-DPPTTに関してQ-DCM-DPPTTに対して比較的低かった。本研究は,N-DMBI-Hのn-ドーピング機構の深い理解を提供し,高性能有機熱電体のための分子ドーパントと半導体の両方の合理的な開発への道を開いた。Copyright 2020 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン化ポテンシャル ,  電荷移動 ,  電気伝導率 ,  半導体 ,  *水素 ,  電荷移動錯体 ,  *ドーピング ,  長範囲規則度 ,  電子親和力 ,  前駆体 ,  ドーパント ,  分子充填
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  密度汎関数計算 ,  溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドーピング ,  水素 ,  ヒドリド移動