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J-GLOBAL ID：202002255669275115   整理番号：20A1081575

レーザアブレーションにより成長させたシリコン薄膜の光ルミネセンスとRaman分光法【JST・京大機械翻訳】

Photoluminescence and Raman spectroscopy of silicon thin films grown by laser ablation

著者 (4件)： Aguilar-Hernandez J.R. (Instituto Politecnico Nacional, Escuela Superior de Fisica y Matematicas, Edificio No. 9. U.P.A.L.M, C.P 07738, CDMX, Mexico) ,  Sastre-Hernandez J. (Instituto Politecnico Nacional, Escuela Superior de Fisica y Matematicas, Edificio No. 9. U.P.A.L.M, C.P 07738, CDMX, Mexico) ,  Monroy-Rodriguez G. (Instituto Politecnico Nacional, Escuela Superior de Fisica y Matematicas, Edificio No. 9. U.P.A.L.M, C.P 07738, CDMX, Mexico) ,  Hernandez-Perez M.A. (Instituto Politecnico Nacional, Departamento de Ingenieria en Metalurgia y Materiales, ESIQIE, CP 07738, CDMX, Mexico)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 102  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 石英基板上にレーザアブレーション法によりシリコン薄膜を作製した。シリコン膜と圧力および温度依存性に及ぼす熱アニーリングの影響は,シリコン(Si)薄膜の光ルミネセンス(PL)スペクトルの異常な挙動を示した。3.0eV(400nm)付近の強いPLエネルギーバンドが室温で熱アニーリング後に観察された。試料のRamanスペクトルは,520cm-1の結晶Si光学フォノンと比較して,517cm-1にシフトした非対称ピークを示した。フォノン線の広がり(7cm-1)も観測された。これらの結果はRaman活性光学フォノンに対するqベクトル選択則の緩和と良く一致した。膜を構成する粒子のサイズを推定するために,フォノン閉込めモデルを用いて赤方偏移非対称Raman線形状を当てはめた。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  赤方偏移 ,  *半導体薄膜 ,  *光ルミネセンス ,  フォノン ,  ベクトル ,  *ケイ素 ,  温度依存性 ,  非対称性 ,  選択則 ,  スペクトル ,  *Raman分光法 ,  *レーザアブレーション
準シソーラス用語： 光学フォノン ,  熱アニーリング ,  *シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 光ルミネセンス ,  Siナノ結晶 ,  Raman分光法 ,  レーザアブレーション

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザアブレーション ,  成長 ,  シリコン薄膜 ,  光ルミネセンス ,  Raman分光法