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J-GLOBAL ID:202002255968033551   整理番号:20A0870520

光子ダウンコンバージョン応用のための透明高分子膜に埋め込まれた蛍光性Nドープグラフェン量子ドット【JST・京大機械翻訳】

Fluorescent N-Doped Graphene Quantum Dots Embedded in Transparent Polymer Films for Photon-Downconversion Applications
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 2322-2335  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5033A  ISSN: 2574-0970  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,窒素ドープグラフェン量子ドット(N-GQDs)を,チオール-エン「クリック」反応経路により,UV硬化性,透明高分子ホストマトリックス中に均一に分散させた,高分子量子ドットナノ複合材料膜の,簡単で,容易で,効率的なワンポット合成を実証した。高蛍光性NOA-NGQDナノ複合材料膜は,高分子鎖ネットワークの再構築により,水接触角(>69°)を有する強い疎水性を示した。カルボニル,アミンおよびヒドロキシル基としてのN-GQD表面の種々の官能基は,より多くの相互作用部位と低い凝集を提供し,NOAとN-GQD間の強い静電相互作用を開発し,柔軟なNOA-NGQDナノ複合材料をもたらした。このように,得られたNOA-NGQDナノ複合材料は,NOA高分子マトリックス中のN-GQDの均一な包接後に,高い透明度(>90%),低いバンドギャップ,および強い蛍光スペクトルピーク(>500nm)を示した。本研究は,UV触媒チオール-エン化学を用いることにより,疎水性高分子-QDナノ複合材料の開発のために,機能化GQDsおよび透明高分子の多様な応用への道を開いた。したがって,合成されたナノ複合材料膜は,フレキシブルな電子ディスプレイ素子,発光ダイオード(LED),およびオプトエレクトロニクス応用に広く適用できる。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
炭素とその化合物  ,  分析機器 

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