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J-GLOBAL ID：202002255985493086   整理番号：20A0277676

原子層堆積により作製したSnS_2光アノードにおけるAlドープZnO逆オパール殻の効率的光電荷移動【JST・京大機械翻訳】

Efficient photo charge transfer of Al-doped ZnO inverse opal shells in SnS₂ photoanodes prepared by atomic layer deposition

著者 (7件)： Hu Weiguang (Graduate School of Energy Science and Technology, Chungnam National University, Daejeon, 34134, South Korea) ,  Quang Nguyen Duc (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Daejeon, 34134, South Korea) ,  Majumder Sutripto (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Daejeon, 34134, South Korea) ,  Park Eunhee (Department of Chemical Engineering & Applied Chemistry, Chungnam National University, Daejeon, 34134, South Korea) ,  Kim Dojin (Department of Materials Science and Engineering, Chungnam National University, Daejeon, 34134, South Korea) ,  Choi Ho-Suk (Department of Chemical Engineering & Applied Chemistry, Chungnam National University, Daejeon, 34134, South Korea) ,  Chang Hyo Sik (Graduate School of Energy Science and Technology, Chungnam National University, Daejeon, 34134, South Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 819  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光電気化学(PEC)水分解のためのコア-シェルヘテロ接合(AZO IOS/SnS_2)光アノードとしてのアルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)逆オパールシェル(IOS)と二硫化スズ(SnS_2)を原子層堆積(ALD)によって調製した。最適化されたAZO/SnS_2は1.05mA/cm2の光電流密度をもたらし,それは純粋なAZO IOS(0.054mA/cm2)のそれより19倍高かった。一方,個々の光電流は中性電解質中で0.12mA/cm2であった。これらの結果は,適切なヘテロ接合の形成のためのSnS_2のような低バンドギャップ材料と組み合わせたとき,AZO IOSの相乗効果を示した。この効果は,太陽スペクトルの可視領域で励起された多くの光電子を収集し,それらのPEC水分解能を改善する。ここでは,可能な光電荷移動モデルとPEC水分解の機構を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーピング ,  電解質 ,  コアシェル構造 ,  光電子 ,  最適化 ,  ヘテロ接合 ,  バンドギャップ ,  光電気化学 ,  電流密度 ,  スペクトル ,  *電荷移動 ,  アルミニウム ,  光電流 ,  酸化亜鉛 ,  太陽

著者キーワード (5件)： 逆オパール殻 ,  アルミニウムをドープした酸化亜鉛 ,  二硫化スズ ,  原子層堆積 ,  電気化学

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  作製 ,  光アノード ,  AlドープZnO ,  逆オパール ,  殻 ,  電荷移動