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J-GLOBAL ID：202002256103762336   整理番号：20A0145858

GaN(001)上のNiOのプラズマ支援分子ビームエピタクシー【JST・京大機械翻訳】

Plasma-assisted molecular beam epitaxy of NiO on GaN(00.1)

著者 (11件)： Budde Melanie (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Remmele Thilo (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Tschammer Carsten (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Feldl Johannes (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Franz Philipp (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Laehnemann Jonas (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Cheng Zongzhe (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Hanke Michael (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Ramsteiner Manfred (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Albrecht Martin (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, Germany) ,  Bierwagen Oliver (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Leibniz-Institut im Forschungsverbund Berlin e.V., Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 127  号： 1  ページ： 015306-015306-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素リッチ条件下でのプラズマ支援分子線エピタクシーによるGaN(00.1)基板上のNiOの成長を,100~°Cと850~°Cの間の成長温度で調べた。エピタキシャル関係NiO(110)//GaN(11.0)とNiO(101)//GaN(11.0)を有するNiO(111)のエピタキシャル成長をX線回折により観察し,透過型電子顕微鏡(TEM)と電子後方散乱回折によりその場反射高エネルギー電子回折により確認した。8.1%の高い格子不整合と測定した低残留引張層歪に関して,格子整合エピタクシーまたはドメイン整合エピタクシーによる成長を論じた。原子間力顕微鏡により測定した形態は,TEM顕微鏡写真で可視化できる柱状回転ドメインによる成長から生じると思われる粒状表面を示した。AFMとTEMで測定したドメインサイズは成長温度と共に増加し,表面拡散長の増加を示した。しかし,850~°Cでの成長は,界面β-Ga_2O_3(201)層と高NiO表面粗さをもたらすGaN基板の局所分解を含んだ。準禁制1フォノンピークのRaman測定により,成長温度の上昇に伴う層品質の増加(欠陥密度の減少)を示した。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 顕微鏡写真 ,  *プラズマ ,  透過型電子顕微鏡 ,  *エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  引張 ,  原子間力顕微鏡 ,  品質 ,  欠陥密度 ,  可視化 ,  格子不整合 ,  X線回折 ,  格子整合 ,  界面 ,  *MBE成長 ,  電子顕微鏡観察

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー