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J-GLOBAL ID：202002256192899782   整理番号：20A2483623

エレクトロスピニングプロセスによりPAN骨格に埋込まれたヘテロ構造MoS_2/g-C_3N_4の光触媒性能の向上【JST・京大機械翻訳】

Enhancing photocatalytic performance of heterostructure MoS₂/g-C₃N₄ embeded in PAN frameworks by electrospining process

著者 (8件)： Liang Haiou (Chemical Engineering College, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot, 010051, People’s Republic of China) ,  Liang Haiou (Inner Mongolia Key Laboratory of Industrial Catalysis, Hohhot, 010051, People’s Republic of China) ,  Bai Jie (Chemical Engineering College, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot, 010051, People’s Republic of China) ,  Bai Jie (Inner Mongolia Key Laboratory of Industrial Catalysis, Hohhot, 010051, People’s Republic of China) ,  Xu Tong (Chemical Engineering College, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot, 010051, People’s Republic of China) ,  Xu Tong (Inner Mongolia Key Laboratory of Industrial Catalysis, Hohhot, 010051, People’s Republic of China) ,  Li Chunping (Chemical Engineering College, Inner Mongolia University of Technology, Hohhot, 010051, People’s Republic of China) ,  Li Chunping (Inner Mongolia Key Laboratory of Industrial Catalysis, Hohhot, 010051, People’s Republic of China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 121  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三元MoS_2/g-C_3N_4/PANヘテロ構造光触媒を高温焼成とエレクトロスピニングプロセスにより合成した。光触媒試験結果は,得られたMoS_2/g-C_3N_4/PAN生成物が光触媒活性の増強を示した。M-MoS_2/g-C_3N_4/PAN,g-C_3N_4/PAN及びバルクMoS_2/g-C_3N_4と比較して,1.9%-MoS_2/g-C_3N_4/PAN試料は最高の光触媒活性を示し,RhBに対する分解速度はバルクg-C_3N_4よりも約3.6倍高かった。1.9%-MoS_2/g-C_3N_4/PAN試料の増強された光触媒活性は主にMoS_2とg-C_3N_4間のヘテロ構造の形成に起因し,これは光生成電荷キャリアの再結合を効果的に抑制した。さらに,PANナノファイバ膜の一次元マット構造は,複合材料をより容易に再利用しリサイクルした。したがって,この研究は,新しい可視光駆動光触媒の設計と調製のための良い方法を提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  再結合 ,  光生成 ,  複合材料 ,  *触媒活性 ,  可視光 ,  一次元 ,  再利用 ,  *光触媒 ,  *エレクトロスピニング
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  分解速度 ,  光触媒活性 ,  電荷キャリア ,  ナノファイバ膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MoS_2/g-C_3N_4 ,  ヘテロ構造 ,  光触媒活性 ,  エレクトロスピニング

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (4件)： PAN ,  骨格 ,  ヘテロ構造 ,  光触媒