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J-GLOBAL ID：202002256304412922   整理番号：20A2501942

窒素プラズマドーピングにより作製した横方向単層MoS_2ホモ接合素子【JST・京大機械翻訳】

Lateral monolayer MoS₂ homojunction devices prepared by nitrogen plasma doping

著者 (11件)： Lu Jingjing (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Guo Zhenyu (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Wang Wenzhao (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Lu Jichang (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Hu Yishuo (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Wang Junhao (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Xiao Yonghong (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Wang Xiya (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Wang Shibo (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Zhou Yufei (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China) ,  Zeng Xiangbin (School of Optical and Electronic Information, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, People’s Republic of China)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 32  号： 1  ページ： 015701 (7pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層MoS_2は,良好な電子移動度,構造柔軟性および直接バンドギャップを有し,フレキシブルでウェアラブルなオプトエレクトロニックデバイスの有望な候補である。本論文では,横方向単層MoS_2ホモ接合を窒素プラズマ選択ドーピング法により調製した。単層MoS_2薄膜を化学蒸着により合成し,光ルミネセンス,原子間力顕微鏡およびRaman分光法によって特性化した。横方向pnとnpnホモ接合の電子と光電特性を論じた。結果は,pnホモ接合ダイオードの整流比が~103であることを示した。pnホモ接合の光検出器として,光応答性は48.5AW-1までであり,外部量子効率は11301%であり,検出性は約109Jonesであり,応答時間は532nmのレーザと10Vの逆バイアス電圧で20msであった。npnホモ接合のバイポーラ接合トランジスタとして,増幅係数は~102に達した。従来のCMOSプロセスと互換性のある制御可能なプラズマドーピング技術を利用して,単層MoS_2ベースpnとnpnホモ接合を実現し,電子,光電子デバイスおよび回路における2D材料の潜在的応用を推進した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  光検出器 ,  光ルミネセンス ,  互換性 ,  *ドーピング ,  バイポーラトランジスタ ,  接合ダイオード ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  バイアス電圧 ,  外部量子効率 ,  光電子デバイス ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒素 ,  プラズマドーピング ,  作製 ,  横方向 ,  単層 ,  ホモ接合