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J-GLOBAL ID：202002256349203225   整理番号：20A1798518

埋込みシステムにおける次世代マルチレベル非揮発性メモリの耐久性のためのCCE A結合SRAMと非揮発性キャッシュ【JST・京大機械翻訳】

CCE A Combined SRAM and Non Volatile Cache for Endurance of Next Generation Multilevel Non Volatile Memories in Embedded Systems

著者 (4件)： Chen Linbin (Dept. of ECE, Northeastern University, Boston, USA) ,  Junsangsri Pilin (Dept. of ECE, Northeastern University, Boston, USA) ,  Reviriego Pedro (ARIES research center, Universidad Antonio de Nebrija, Madrid, Spain) ,  Lombardi Fabrizio (Dept. of ECE, Northeastern University, Boston, USA)
資料名： ACM Proceedings  (ACM Proceedings)
号： NANOARCH ’18  ページ： 58-64  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0698C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,組込みシステムにおける次世代高密度マルチレベル非揮発性メモリの使用を可能にするためのスキームであるEndurance(CCE)に対する結合キャッシュを提示した。これらのメモリは,静的電力消費を劇的に低減でき,単一メモリは,フラッシュとSRAMまたはDRAMをシステム内に回避できる可能性がある。しかし,新しいマルチレベル非揮発性メモリの一般的な欠点は,それらが限られた数の書き込み操作をサポートすることであり,従って,その耐久性は,組込みシステムのメインメモリのための実行可能な代替になるように改善する必要がある。提案したCCEは,ほとんどの書き込みが少数のアドレスに集中しているという事実に依存する。したがって,小さなSRAMキャッシュは,頻繁に書かれた位置を保存するために使用することができる。しかし,これは記憶の非揮発性を保存しない。そのため,提案したCCEでは,キャッシュセルはSRAM部分と非揮発性部分を持つ。パワーアップでは,非揮発性部分の内容はSRAMにコピーされ,他方はパワーダウンの周りにコピーされる。多くの組込みシステムが予測可能な作業負荷を実行するので,このキャッシュは,最も頻繁に書かれたアドレスをカバーするために静的にセットされる。評価は,CCEがメモリの耐久性を数桁増加させることができることを示した。同時に,キャッシュを実装するために必要なオーバヘッドは,主メモリと比較して小さい。従って,CCEは次世代高密度マルチレベル非揮発性メモリの耐久性を改善する興味あるオプションである。Please refer to this article’s citation page on the publisher website for specific rights information. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  電力消費 ,  *キャッシュメモリ ,  耐久性 ,  *不揮発性メモリ ,  主メモリ ,  非揮発性 ,  *SRAM ,  DRAM ,  組込みシステム
準シソーラス用語： *マルチレベル ,  *埋込みシステム ,  オーバヘッド ,  アドレス ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 次世代不揮発性メモリ ,  耐久性 ,  エラー ,  マルチレベルセルメモリ

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 埋込みシステム ,  次世代 ,  マルチレベル ,  非揮発性メモリ ,  SRAM ,  非揮発性 ,  キャッシュ