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J-GLOBAL ID：202002256350771654   整理番号：20A1952728

シリコンインゴットの一方向凝固中の移動磁場を用いたメルトフローと酸素分布の制御【JST・京大機械翻訳】

Control of Melt Flow and Oxygen Distribution Using Traveling Magnetic Field during Directional Solidification of Silicon Ingots

著者 (5件)： Shao Yue (School of Energy and Power Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi′an, Shaanxi, China) ,  Li Zaoyang (School of Energy and Power Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi′an, Shaanxi, China) ,  Yu Qinghua (Birmingham Centre for Energy Storage, School of Chemical Engineering, University of Birmingham, Birmingham, UK) ,  Yu Qinghua (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan, Hubei, China) ,  Liu Lijun (School of Energy and Power Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi′an, Shaanxi, China)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 12  号： 10  ページ： 2395-2404  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 移動磁場(TMF)は,シリコンインゴットの方向性凝固(DS)中のメルトフローと不純物輸送を制御する有望な方法である。DSプロセスにおけるシリコンメルトフローおよび酸素分布に対する異なる周波数を有する下方および上向きTMFの制御機構を数値的に調べた。TMFの生成と測定のモデル実験を行い,磁場計算プログラムを検証した。次に,TMF周波数を変化させて,Lorentz力の方向および大きさ,シリコンメルトフローのパターンおよび強度,および酸素不純物の分布に及ぼすその影響を調べた。その結果,大きな周波数の下方TMFは,溶融-結晶界面上の局所メルトフローを誘起し,支配的な流れから界面への酸素輸送をブロックする。小さな周波数と大きな振幅を持つ上向きTMFは,るつぼ側壁に沿って完全に上向きのメルトフローを誘起し,溶融結晶界面から遠く離れた酸素を採り,それはシリコンメルトとインゴット中の酸素含有量を減少させるのにより良い。Copyright Springer Nature B.V. 2019 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  結晶粒界 ,  不純物 ,  模型試験 ,  *ケイ素 ,  *酸素 ,  *一方向凝固 ,  *インゴット ,  坩堝 ,  磁場計算 ,  Lorentz力 ,  *メルト
準シソーラス用語： 酸素輸送 ,  方向性凝固 ,  酸素含有量 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 結晶シリコンインゴット ,  一方向凝固 ,  移動磁場 ,  メルトフロー ,  酸素不純物

分類 (5件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  金属の結晶成長  (BK13030M) ,  鋳造に関する各種技術  (WC01040B) ,  凝固  (WC01050M) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  インゴット ,  一方向凝固 ,  移動磁場 ,  酸素 ,  分布