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J-GLOBAL ID：202002256378167916   整理番号：20A2040980

光電気化学電池応用のための準タイプIICuInS_2/CdSコア/シェル量子ドットのオプトエレクトロニック特性の操作【JST・京大機械翻訳】

Manipulating the Optoelectronic Properties of Quasi-type II CuInS₂/CdS Core/Shell Quantum Dots for Photoelectrochemical Cell Applications

著者 (15件)： Wang Changmeng (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P. R. China) ,  Tong Xin (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P. R. China) ,  Wang Wenhao (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P. R. China) ,  Xu Jing-Yin (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P. R. China) ,  Besteiro Lucas V. (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P. R. China) ,  Besteiro Lucas V. (Institut National de la Recherche Scientifique, Centre Energie, Materiaux et Telecommunications, Quebec, Canada) ,  Channa Ali Imran (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P. R. China) ,  Lin Feng (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P. R. China) ,  Wu Jiang (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P. R. China) ,  Wang Qiang (State Key Laboratory of Applied Organic Chemistry, Key Laboratory of Special Function Materials and Structure Design, College of Chemistry and Chemical Engineering, Lanzhou University, P. R. China) ,  Govorov Alexander O. (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P. R. China) ,  Govorov Alexander O. (Department of Physics and Astronomy, Ohio University, Ohio, United States) ,  Vomiero Alberto (Division of Materials Science, Department of Engineering Sciences and Mathematics, Lulea University of Technology, Sweden) ,  Vomiero Alberto (Department of Molecular Sciences and Nanosystems, Ca’ Foscari University of Venice, Mestre, Italy) ,  Wang Zhiming M. (Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, P. R. China)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 32  ページ： 36277-36286  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 準タイプIIバンド構造を有するコロイドコア/シェルヘテロ構造量子ドット(QDs)は,効果的な表面不動態化と長い励起子寿命を示し,光起電力デバイス応用に有望である電荷分離/移動効率の向上をもたらす。ここでは,CuInS_2(CIS)/CdSコア/シェルヘテロ構造QDを合成し,CdSシェル厚さを制御して光電子特性を操作した。シェル厚み依存性光学特性は,このようなコア/シェルQDの準タイプIIバンド構造の存在を示し,超高速分光法と理論的シミュレーションで検証した。種々のシェル厚みを有するこれらの準タイプIIコア/シェルQDを,太陽駆動QDベース光電気化学(PEC)デバイスの製作のための光吸収体として用い,約6.0mA/cm2の最適光電流密度と模擬AM1.5G太陽照明下で優れた安定性を示した。結果は,準タイプII CIS/CdSコア/シェルヘテロ構造QDが,太陽燃料生産用の高性能QDベース太陽エネルギー変換デバイスの実現に有望であることを示した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  シミュレーション ,  バンド構造 ,  太陽 ,  光吸収 ,  *硫化カドミウム ,  電流密度 ,  *光電気化学 ,  *光電気化学電池 ,  *量子ドット ,  電荷分離 ,  光電子 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  太陽エネルギー変換 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コロイド量子ドット ,  コア/シェル構造 ,  オプトエレクトロニクス工学 ,  準タイプIIバンド構造 ,  光電気化学電池

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光電気化学電池 ,  応用 ,  タイプ ,  CdS ,  コア ,  シェル ,  量子ドット