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J-GLOBAL ID:202002256421455674   整理番号:20A2519060

2D三元Cu_2MoS_4ナノフレークにおける多重フォノンRaman散乱と強いElectron-フォノン結合【JST・京大機械翻訳】

Multiphonon Raman Scattering and Strong Electron-Phonon Coupling in 2D Ternary Cu2MoS4 Nanoflakes
著者 (11件):
資料名:
巻: 11  号: 20  ページ: 8483-8489  発行年: 2020年 
JST資料番号: W3687A  ISSN: 1948-7185  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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格子振動による光生成キャリア間の相互作用は,光触媒と光起電力で起こる非放射再結合と電荷移動過程に基本的役割を果たす。ここでは,Raman分光法を用いて,三元層状Cu_2MoS_4ナノフレークにおける電子-フォノン相互作用を調べた。四次縦光学(LO)倍音による多重フォノンRaman散乱を上記バンドギャップ励起の下で観測し,カスケードモデルによって記述できる強い電子-フォノン結合(EPC)を示した。Huang-Rhys因子を誘導し,EPCの強度を特性化し,温度の低下とともに増加することを見出した。格子動力学と電子-フォノンマトリックス要素の第一原理計算は,Cu_2MoS_4の強いEPCが,電子と電場の間のFroehlichカップリングによって支配され,それは平坦なフォノン分岐から生じる局在化フォノンモードによって誘起されることを示唆する。著者らの知見は,2D三元Cu_2MoS_4における電子-フォノン相互作用の理解を促進し,オプトエレクトロニックデバイスの開発と最適化のための道を開く。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用 
タイトルに関連する用語 (5件):
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