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J-GLOBAL ID:202002256529973062   整理番号:20A0334920

メモリスタ制御スピンナノ発振器に基づく振幅と周波数変調【JST・京大機械翻訳】

Amplitude and frequency modulation based on memristor-controlled spin nano-oscillators
著者 (10件):
資料名:
巻: 31  号:ページ: 045202 (7pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W0108A  ISSN: 0957-4484  CODEN: NNOTER  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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スピン移動ナノ発振器(STNO)は,高周波マイクロ波信号を発生させるために,磁気トンネル接合装置における電流誘起磁化歳差を利用する新しいタイプの無線周波数(RF)発振器である。STNOsの周波数と振幅の両方を電流を変えることにより調整できるので,RFミキサを必要とせずに振幅シフトキーイングと周波数シフトキーイング変調のために使用され,コンパクトなRF成分が得られる。このレターでは,周波数と振幅を変調するための新しい戦略を提案した。それにより,STNOがマイクロ波放出とメムリスタの原因となり,周波数と振幅をさらに変調する電流調整器として役立つ。さらに,I-V曲線は,多重レベル抵抗挙動も同じアーキテクチャで達成できることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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顕微鏡法 
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