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J-GLOBAL ID:202002256663663554   整理番号:20A2621228

オンチップバイアス回路を有するSOI上のSi上の鋳造可能Geフォトダイオードアレイ【JST・京大機械翻訳】

Foundry-Enabled Ge Photodiode Arrays on Si on Insulator (SOI) with On-Chip Biasing Circuit
著者 (5件):
資料名:
巻: 2020  号: IPC  ページ: 1-2  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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オンチップバイアス回路を有するGe-on-Si導波路(WG)フォトダイオード(PD)を報告した。単一PDは52GHz帯域幅(BW)を持ち,一方,2と4PDから成るPDアレイは,それぞれ40GHzで-6.7dBm,27GHzで-2.3dBmの無線周波数(RF)飽和電力を持つ。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
専用演算制御装置  ,  図形・画像処理一般  ,  音声処理  ,  医用画像処理  ,  符号理論 

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