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J-GLOBAL ID：202002256817154400   整理番号：20A1872516

結晶制御によるFeN強磁性膜の磁気異方性と磁化スイッチングの調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning magnetic anisotropy and magnetization switching in FeN ferromagnetic films by crystal regulation

著者 (7件)： Li Yukun (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Meng Fei (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Zhao Yongkang (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Xie Shuai (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Li Baohe (Department of Physics, School of Sciences, Beijing Technology and Business University, Beijing 100048, China) ,  Feng Chun (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Yu Guanghua (School of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 709  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強磁性膜の磁気異方性と磁化スイッチングは,エネルギー効率の良い磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の構築に重要である。Fe_16N_2合金は,理論において巨大磁気異方性と高いスピン分極比を有することが予測され,磁気メモリデバイスに適用される有望な材料である。しかし,関連する研究作業はほとんど報告されていない。本研究では,Fe/Cr/FeN/Crヘテロ構造を考案し,格子不整合によりFeN層上に制御可能な歪を導入した。歪はFeN層の厚さで変化し,FeN層の相成分を効果的に修正できる。歪工学を用いて,0.1~0.7×106J/m3の範囲の磁気異方性エネルギーの広い同調性を達成した。異方性変調に基づいて,Fe/Cr/FeN/Ptヘテロ構造における部分磁化スイッチングの電気的制御を,電流密度Δ≦1010A/m2の下でスピン-軌道-トルク(SOT)効果によって達成した。これらの知見は,エネルギー効率の良いSOT-MARMを実現するための有望な強磁性材料を提供するかもしれない。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  *強磁性 ,  合金 ,  *磁気異方性 ,  *磁性薄膜 ,  トルク ,  スピン分極 ,  *磁気 ,  磁気メモリ ,  電流密度 ,  相組成 ,  格子不整合
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  異方性エネルギー ,  *磁化スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 窒化鉄合金 ,  薄膜 ,  磁気異方性 ,  磁化スイッチング ,  結晶調節 ,  磁気メモリ ,  スパッタリング

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶 ,  磁性膜 ,  磁気異方性 ,  磁化スイッチング