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J-GLOBAL ID:202002257078228695   整理番号:20A0081202

絶縁体上シリコン技術における集積光学フィルタによる高容量単一側波帯抑制キャリア変調【JST・京大機械翻訳】

High-Capacity Single-Sideband Suppressed-Carrier Modulation with Integrated Optical Filter in Silicon-on-Insulator Technology
著者 (8件):
資料名:
巻: 2019  号: FOAN  ページ: 29-33  発行年: 2019年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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5Gbit/sの単一側波帯抑圧キャリア(SSB-SC)変調信号を,位相変調器(PM)とシリコンナノワイヤストリップ導波路中の三次分布帰還共振器(DFBR)で実現した集積光フィルタを用いて発生させた。集積フィルタ群遅延応答の小さな帯域内変動を測定した。また,発生したSSB-SC信号に及ぼすフィルタ位相の適度な影響を,標準単一モードファイバの60km以上の伝送によって評価し,約1dBの付加的電力ペナルティを示した。広帯域変調データに対する20GHzの周波数シフトをこの実験的実証に用いた。PMから高次高調波をフィルタリングし,光キャリアを再生することにより,低RFキャリアから始まるミリ波帯までSSB変調信号を発生させるために,この方式を潜在的に使用することができる。提案したアーキテクチャは簡単で安定であり,PMとDFBRフィルタのモノリシック集積により,最小限のフットプリントを持つシリコン-オン-インシュレータ技術におけるフォトニック集積回路の実現に適している。Copyright 2020 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
分類
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図形・画像処理一般  ,  計算機網  ,  電力系統一般 

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