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J-GLOBAL ID:202002257103015759   整理番号:20A2704213

3C-SiC(111)/Mg(0001)の界面安定性の第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

First-principles calculation of the interface stability of 3C-SiC(111)/Mg(0001)
著者 (2件):
資料名:
巻: 585  号:ページ: 012192 (5pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5558A  ISSN: 1755-1307  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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密度汎関数理論に基づく第一原理平面波擬ポテンシャル法を用いて,4つのSiC(111)/Mg(0001)界面モデルを研究し,そして,4つの界面モデルの接着,電荷密度分布,電荷密度差およびMulliken母集団の理想仕事を計算した。計算結果は,4つの界面モデルの構造が,幾何学的最適化の後,界面間隔のますますより少ない減少を除いて,著しく変化しないことを示した。C終端の中心サイト界面は,4つのモデルの中で最も安定した構造である,接着と最小界面間隔の最大の仕事を持つ。電子構造の計算は,中心サイトのこれら2つの終端界面の界面結合が共有結合とイオン結合の混合物であることを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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