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J-GLOBAL ID：202002257174287609   整理番号：20A1156952

電子ビーム熱処理によるグラフェン調製技術【JST・京大機械翻訳】

Preparation of Graphene by Rapid Electron Beam Annealing Method

著者 (7件)： Xu Zhuang (中国科学院電工研究所,北京,100190) ,  Gao Zhaoshun (中国科学院電工研究所,北京 100190;中国科学院潔浄能源創新研究院,大連 116000) ,  Han Li (中国科学院電工研究所,北京,100190) ,  Zuo Tingting (中国科学院電工研究所,北京,100190) ,  Wu Yue (中国科学院電工研究所,北京,100190) ,  Xiao Liye (中国科学院電工研究所,北京,100190) ,  Kong Xiangdong (中国科学院電工研究所,北京,100190)
資料名： Cailiao Daobao  (Cailiao Daobao)
巻： 34  号： 6  ページ： 6-9  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2126A  ISSN： 1005-023X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 炭素原子が金属材料中に偏析するメカニズムに基づき、熱処理で炭素を混ぜたニッケル膜を用いる方式で、グラフェンの昇冷速度が速いほど良い。電子ビーム加熱の特徴は、昇冷速度が非常に速く、短時間でサンプルを必要な実験温度に加熱できるため、本研究では、電子ビーム快速熱処理方式を用いて、グラフェンを調製することを提案した。炭素原子をドーピングした金属ニッケル膜を電子ビーム熱処理装置に置いて、一定温度で加熱した。炭素原子濃度が1%の時、電子ビーム熱処理によるグラフェンの温度範囲は10001100°Cであり、5sの熱処理時間だけを要し、結晶性がよく、欠陥の少ない高品質グラフェンが得られた。本研究は,Ni-C系がNi-多層グラフェンとNi-グラファイト相において,Ni-C系がNi-多層グラフェンとNi-グラファイト相の間の滞留時間が極めて短く,ニッケル膜表面に余分な炭素原子が極めて少なく,高品質の単層グラフェンを形成することを示した。電子ビーム熱処理によるグラフェンの調製方法は高効率、安全性が良好で、グラフェンの応用優位性を高める。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電子ビーム ,  *熱処理 ,  偏析 ,  炭素 ,  ニッケル ,  金属材料 ,  グラファイト ,  ドーピング ,  結晶度 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  高効率 ,  高品質 ,  単層グラフェン ,  多層グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子ビーム ,  熱処理 ,  グラフェン ,  調製