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J-GLOBAL ID：202002257218333859   整理番号：20A1725876

純粋およびドープKCaF_3の電子構造,弾性特性およびDebye温度に関する第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First principle study on electronic structure, elastic properties and debye temperature of pure and doped KCaF₃

著者 (3件)： Liu Xing (Shaanxi Key Laboratory of Material Processing Engineering, School of Material Science and Engineering, Xi’an Shiyou University, Xi’an, 710065, China) ,  Liu Xing (State Key Laboratory of Solidification Processing, School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University, Xi’an, 710072, PR China) ,  Fu Jia (Shaanxi Key Laboratory of Material Processing Engineering, School of Material Science and Engineering, Xi’an Shiyou University, Xi’an, 710065, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 179  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト族における潜在的機能性材料として,純粋およびドープKCaF_3構造の電子構造,弾性,Debye温度および異方性を密度汎関数理論(DFT)に基づいて調べた。仮想結晶近似(VCA)とスーパーセルドーピング法を用いてドーパント量とバンドギャップの間の関係を調べた。結果は以下を示した。(1)純粋なKCaF_3は間接バンドギャップ半導体であり,Young率Eは64.20GPa,バンドギャップは6.151eVであった。(2)スーパーセルドーピング後のドープKCaF_3のバンドギャップは4.900eVに減少し,価電子帯の頂点と伝導バンドの底部は変化したが,ドープしたKCaF_3は直接バンドギャップ半導体になった。(3)GGAとReuss-Voigt-Hill法に基づき,VCAとスーパーセルドーピング後のドープKCaF_3のE値は,それぞれ71.48GPaと84.02GPaであり,ドープ構造が非ドープ構造より硬いことを示した。純粋なKCaF_3の剪断弾性率に対する体積弾性率は,比較的延性であり,そして,普遍的異方性指数は,純粋およびドープしたKCaF_3の両方がかなり高い弾性異方性を示すことを示した。本研究は,より良い性能を有する新しいABX_3型材料の設計のための理論的指針を提供した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Debye温度 ,  Young率 ,  延性 ,  *電子構造 ,  半導体 ,  *弾性 ,  剛性率 ,  伝導バンド ,  *ドーピング ,  価電子バンド ,  ドーパント ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 間接バンドギャップ ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 第一原理 ,  ドープしたKCaF_3 ,  VCAとスーパーセルドーピング ,  電子構造 ,  弾性特性 ,  Debye温度

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  電子構造 ,  弾性特性 ,  Debye温度 ,  第一原理 ,  研究