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J-GLOBAL ID:202002257224389118   整理番号:20A1530855

Cs_3Sb中のCs原子からのX線吸収フィンガープリント【JST・京大機械翻訳】

X-Ray Absorption Fingerprints from Cs Atoms in Cs3Sb
著者 (2件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: e2000194  発行年: 2020年 
JST資料番号: W1880A  ISSN: 1862-6254  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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X線吸収分光法は,マルチアルカリアンチモン化物のような複雑な材料のための貴重な特性化ツールである。そのような実験結果の解釈は最先端の理論的参照から大いに利益を得る。密度汎関数理論と多体摂動論に基づく第一原理研究で,Cs K-とL_3-端からのCs_3SbのX線吸収端近傍構造(XANES)のフィンガープリントを明らかにした。伝導バンドの電子構造と軌道特性から,採用した化学量論的単位格子中の2つの等価Cs原子からのXANESスペクトルへの寄与を解析した。非占有領域におけるCs s-およびd-電子の優勢な重量は,L_3端によってもたらされる比較的高いシグナルを予想する。顕著な励起子ピークの形での明瞭な原子シグネチャはCs K端スペクトルで可視である。L_3端からのXANESにおいて,両Cs原子は類似の寄与をもたらし,これは,提示した計算においてまだ識別可能である。採用した方法論によって可能になった定量分析は,電子-正孔相関効果が,主に振動子強度のより低いエネルギーへの再分布を通して現れることを明らかにしたが,励起子結合エネルギーは数百meVのオーダであった。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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光物性一般  ,  半導体結晶の電子構造 
タイトルに関連する用語 (4件):
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