文献

J-GLOBAL ID：202002257458339168   整理番号：20A1580365

垂直結合InAs p-i-p量子ドット赤外光検出器のその場テーラリング:均一ドットサイズ分布とIn-Ga相互混合の最小化に向けて【JST・京大機械翻訳】

In-Situ Tailoring of Vertically Coupled InAs p-i-p Quantum-Dot Infrared Photodetectors: Toward Homogeneous Dot Size Distribution and Minimization of In-Ga Intermixing

著者 (12件)： Dongre Suryansh (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, India) ,  Paul Sritoma (Department of Electronics and Communication Engineering, Kalyani Government Engineering College, India) ,  Mondal Shubham (Department of Electronics and Communication Engineering, Kalyani Government Engineering College, India) ,  Kumar Ravindra (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, India) ,  Panda Debiprasad (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, India) ,  Gazi Sanowar Alam (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, India) ,  Das Debabrata (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, India) ,  Kumar Ravinder (Centre for Research in Nanotechnology & Science, Indian Institute of Technology Bombay, India) ,  Shriram Saranya Reddy (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, India) ,  Mantri Manas Ranjan (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, India) ,  Tongbram Binita (Centre for Research in Nanotechnology & Science, Indian Institute of Technology Bombay, India) ,  Chakrabarti Subhananda (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, India)
資料名： ACS Applied Electronic Materials  (ACS Applied Electronic Materials)
巻： 2  号： 5  ページ： 1243-1253  発行年： 2020年 
JST資料番号： W5669A  ISSN： 2637-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,垂直結合ヘテロ構造における次第に増加するドットサイズから生じる有害な効果を回避する,インジウムアルセニド(InAs)量子ドット赤外光検出器のためのエピタキシャル成長技術の詳細な解析を報告する。垂直結合ドット層の一定の過成長パーセントを,試料の断面透過型電子顕微鏡(X-TEM)画像によって確証された成長戦略の実装によって達成した。これらの試料の光学特性を光ルミネセンス分光法及び光ルミネセンス励起分光法(PL及びPLE)測定を通して解析し,成長戦略の実装により長波長応答及び半値全幅(fwhm)を示した。X-TEMおよび面内および面外高分解能X線回折(HR-XRD)測定は,インジウム脱離の減少と欠陥および転位密度の低下と共に,成長戦略の実施による形態学的改良を示唆した。異なる実験結果とそれらの理論的シミュレーションの間に優れた相関を見出した。低温(T=14K)で作製した単一ピクセル光検出器は,試料の1つに対してMWIR領域(~4.5μm)まで広がる広い応答を示した。また,SWIR領域における強いスペクトル応答を室温(T=300K)でも得た。得られた最高の応答性(R_p)と比検出性(D*)値は,5Vと300Kのバイアスで166.17A/Wと8.39×1010cmHz1/2W-1であった。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *赤外線 ,  脱着 ,  低温 ,  *光検出器 ,  光ルミネセンス ,  励起 ,  *インジウム ,  *ヒ化インジウム ,  画素 ,  *量子ドット ,  FWHM
準シソーラス用語： 中赤外線 ,  ヘテロ構造 ,  過成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： InAs量子ドット ,  p-i-p赤外光検出器 ,  MBE成長戦略 ,  均一ドットサイズ分布 ,  In-Ga相互拡散 ,  室温スペクトル応答

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (10件)： 垂直 ,  InAs ,  量子ドット ,  赤外光 ,  検出器 ,  ドット ,  サイズ分布 ,  Ga ,  相互混合 ,  最小化