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J-GLOBAL ID：202002257513423961   整理番号：20A2223394

外場を有するグラフェンp-n接合における電流変調【JST・京大機械翻訳】

Current modulation in graphene p-n junctions with external fields

著者 (5件)： Araujo F R V (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Ceara, Campus do Pici, 60455-900 Fortaleza, Ceara, Brazil) ,  Araujo F R V (Instituto Federal de Educacao, Ciencia e Tecnologia do Piaui, Campus Sao Raimundo Nonato,64670-000, Sao Raimundo Nonato, Piaui, Brazil) ,  da Costa D R (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Ceara, Campus do Pici, 60455-900 Fortaleza, Ceara, Brazil) ,  Nascimento A C S (Instituto Federal de Educacao, Ciencia e Tecnologia do Piaui, Campus Parnaiba, 64211-145, Parnaiba, Piaui, Brazil) ,  Pereira J M Jr (Departamento de Fisica, Universidade Federal do Ceara, Campus do Pici, 60455-900 Fortaleza, Ceara, Brazil)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 32  号： 42  ページ： 425501 (7pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,バンド構造のギャップがない場合でも電流を調節するグラフェン系ナノ構造に対する提案について述べた。このデバイスは,出力リードに弾道電子を集束するVeselagoレンズとして作用するグラフェンp-n接合から成る。外部(電気的および磁気的)場の適用は出力焦点の位置を変化させ,伝送を低減する。このようなデバイスは,グラフェンの高い電子移動度から利益を得ることができる低電力電界効果トランジスタに適用できる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接合 ,  バンド構造 ,  *電流 ,  磁気 ,  *電流制御 ,  *外場 ,  ナノ構造 ,  弾道電子 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 外場 ,  グラフェン ,  p-n接合 ,  電流変調