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J-GLOBAL ID：202002257534717917   整理番号：20A1137351

低エネルギー電子ビームに基づく絶縁物-半導体試料の放電特性研究【JST・京大機械翻訳】

Research on Discharge Characteristics of Insulator-semiconductor Samples Based on Low-energy Electron Beam

著者 (4件)： Huo Zhisheng (西安理工大学自動化与信息工程学院,陜西西安,710048) ,  Pu Hongbin (西安理工大学自動化与信息工程学院,陜西西安,710048) ,  Yu Ningmei (西安理工大学自動化与信息工程学院,陜西西安,710048) ,  Li Weiqin (西安理工大学自動化与信息工程学院,陜西西安,710048)
資料名： Binggong Xuebao  (Binggong Xuebao)
巻： 40  号： 12  ページ： 2497-2503  発行年： 2019年 
JST資料番号： C2399A  ISSN： 1000-1093  CODEN： BIXUD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高エネルギー電子ビーム照射による負帯電効果の除去は、マイクロエレクトロニクスデバイスの加工、検出とイメージングにとって重要な意義がある。数値シミュレーションと実験測定を組み合わせて,低エネルギー電子ビームに基づく絶縁物-半導体構造サンプルの放電特性および中和機構を研究した。電子散乱、輸送と捕獲に基づく数値モデルを構築し、空間電荷、空間電位分布及びその放電特性を明らかにし、低エネルギー電子ビーム照射における空間電荷の緩和特性及び電子ビームエネルギー、ビーム電流の中和特性への影響を明らかにした。研究結果により、長時間放置下で絶縁物-半導体サンプルの内部負帯電強度は次第に弱くなるが、トラップの捕獲作用帯電によって徹底的に除去されないことが分かった。第2臨界エネルギーより低い低エネルギー電子ビーム照射では、正電荷注入サンプルの負帯電が迅速に中和され、表面電位が0電位に接近する。電子ビームの実際の着陸エネルギーが電子総生産額の最大エネルギーに接近する時、中和過程の過渡時間が最短となり、ビーム電流が大きければ、過渡過程が速いほど平衡に達する。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 空間電荷 ,  帯電 ,  電位 ,  電子照射 ,  *電子ビーム ,  *半導体 ,  *絶縁材料 ,  画像処理 ,  緩和現象 ,  捕獲 ,  キャリア注入 ,  負電荷 ,  中性化
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低エネルギー ,  電子ビーム ,  絶縁物 ,  試料 ,  放電特性 ,  研究