ALD成長ナノ結晶Al_2O_3薄膜の表面形態,光学および物理化学特性における電子励起誘起修飾【JST・京大機械翻訳】

Chauhan Vishnu; Kumar Rajesh

文献

J-GLOBAL ID：202002257740264954 整理番号：20A1029670

ALD成長ナノ結晶Al_2O_3薄膜の表面形態,光学および物理化学特性における電子励起誘起修飾【JST・京大機械翻訳】

Electronic excitation induced modifications in surface morphological, optical and physico-chemical properties of ALD grown nanocrystalline Al₂O₃ thin films

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巻： 141 ページ： Null 発行年： 2020年
JST資料番号： D0600B ISSN： 0749-6036 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

本論文では,原子層蒸着(ALD)技術を用いて,シリコンとガラス基板上に成長させた非照射および高速重イオン照射Al_2O_3薄膜(120nm)の構造的,光学的および形態的性質の研究に関する可能な結果を報告した。Al_2O_3薄膜を,フルエンス5E11~1E13イオン/cm2の範囲で,120MeV S9+高速重イオン(SHI)を用いて照射した。原子間力顕微鏡(AFM)により,高エネルギーイオン照射前後における表面特性と粒径(38~45nm)の増加を調べた。垂直および横方向と表面形態に沿った表面粗さの定量的詳細解析をパワースペクトル密度(PSD)によって提供した。さらに,非照射および照射試料の結晶子サイズ(12~49nm)をDebye Scherrer法を用いて決定した。SHI照射後にδ-Al_2O_3正方晶相が消失することが観察された。構造特性に及ぼす高エネルギーイオン照射の影響のより良い理解のために,応力,歪,転位密度,および集合組織係数を用いて(953)面に沿って組織化される優先配向のような種々のパラメータをX線回折(XRD)によって決定した。吸収係数を用いて,イオンフルエンスの範囲による光学バンドギャップ(E_g)とUrbachエネルギー(E_u)の変化を測定した。室温での光ルミネセンス(PL)分光を行い,250nmと240nmの励起波長で記録された強い,広い光ルミネセンス発光スペクトルの強度とピークシフトの顕著な変化の機構を理解した。さらに,X線光電子分光法(XPS)分析により,酸化アルミニウム非照射および照射薄膜における74.2eVおよび553.45eVにおけるAl2pおよびO1sコアレベルの調査スペクトルおよび化学結合エネルギー(B.E)を得た。定量的元素組成(2:3)を推定するために,試料の結晶品質と厚さ(120nm),Rutherford後方散乱分光法(RBS)スペクトルを高エネルギーHe2+イオンの後方散乱を用いて記録した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜 , 酸化物薄膜

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