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J-GLOBAL ID：202002257760734631   整理番号：20A0197160

ヒ素におけるドーパント(Si,P,S,Ge,Se,Sb)の効果の調査:DFT研究【JST・京大機械翻訳】

Exploring the effect of dopant (Si, P, S, Ge, Se, and Sb) in arsenene: A DFT study

著者 (6件)： Zhou Qingxiao (College of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471023, People’s Republic of China) ,  Zhou Qingxiao (Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471023, People’s Republic of China) ,  Liu Yanling (College of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471023, People’s Republic of China) ,  Ju Weiwei (College of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471023, People’s Republic of China) ,  Zhang Qian (College of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471023, People’s Republic of China) ,  Li Jiahui (College of Physics and Engineering, Henan University of Science and Technology, Luoyang 471023, People’s Republic of China)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 384  号： 6  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヒ素の構造的,電子的及び磁気的性質をDFT(密度汎関数理論)を用いて調べた。電荷移動,大きい結合エネルギー,短い結合長は,ドープした構造がロバストであることを示した。Si,S,GeおよびSeドーピングは,ヒ素中に磁気状態を誘起する。磁気モーメントへの主な寄与は,ドーパントと隣接As原子のp軌道に起因し,PDOS(射影状態密度)の応用の結果により示唆された。さらに重要なことに,Si,PおよびSbによってドープされたヒ素中の電子の低い有効質量は高いキャリア移動度を意味し,これは3つのタイプの構造が高効率n型半導体であることを示している。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ドーパント ,  *アンチモン ,  結合エネルギー ,  *セレン ,  ドーピング ,  *ヒ素 ,  磁気的性質 ,  密度汎関数法 ,  磁気モーメント ,  核間距離 ,  状態密度 ,  射影 ,  ロバスト性 ,  有効質量 ,  電荷移動

著者キーワード (4件)： ヒ素 ,  ドーピング ,  DFT ,  n型半導体

分類 (2件)： プラズマ一般  (BJ02010B) ,  気体放電  (BJ03020T)

タイトルに関連する用語 (9件)： ヒ素 ,  ドーパント ,  Si ,  Ge ,  Se ,  Sb ,  調査 ,  DFT ,  研究