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J-GLOBAL ID：202002257771114343   整理番号：20A0388886

GeTe系熱電材料における散乱最適化のための積層欠陥変調【JST・京大機械翻訳】

Stacking faults modulation for scattering optimization in GeTe-based thermoelectric materials

著者 (17件)： Xie Li (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Xie Li (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Chen Yongjin (Center for High Pressure Science &Technology Advanced Research, Beijing, 100094, China) ,  Liu Ruiheng (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Liu Ruiheng (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Song Erhong (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Xing Tong (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Xing Tong (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Deng Tingting (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Song Qingfeng (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Liu Jianjun (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Zheng Renkui (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Gao Xiang (Center for High Pressure Science &Technology Advanced Research, Beijing, 100094, China) ,  Bai Shengqiang (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Bai Shengqiang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China) ,  Chen Lidong (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200050, China) ,  Chen Lidong (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, China)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 68  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱電(TE)性能の増強は電子とフォノンの散乱効果の最適化に本質的に関連している。ここでは,高いキャリア移動度と低い格子熱伝導率を同時に実現するために,GeTe材料における積層欠陥変調戦略を実証した。GeTe中の過剰Cuドーピングは,Ge空格子点層の濃度を著しく減少させ,「空格子点/Cu-Cu/空格子点」サンドイッチ状積層欠陥構造を形成することができる。結果として,正孔移動度は,空孔層からの弱いキャリア散乱により,室温で約100cm~2V~-1s-1に著しく改善され,優れた電気輸送特性を保証した。一方,サンドイッチ状積層欠陥はフォノンに対して非常に強い散乱効果をもたらし,その結果,0.38Wm~-1K-1の非常に低い格子熱伝導率をもたらした。キャリアとフォノンへの相乗的に最適化された散乱効果により,2.0以上のピーク熱電性能指数が750KでGe_0.89Cu_0.06Sb_0.08Teにおいて達成された。この研究は,二次元欠陥変調を通してフォノンとキャリアの選択的散乱を実現するための効果的な戦略を提供し,TE材料のためのマルチスケール微細構造調整の重要な部分を作る。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： フォノン ,  *熱電材料 ,  *最適化 ,  二次元 ,  ドーピング ,  キャリア散乱 ,  キャリア移動度 ,  *ゲルマニウム ,  *積層欠陥 ,  微細構造 ,  *散乱
準シソーラス用語： 熱電性能指数 ,  輸送特性 ,  正孔移動度 ,  格子熱伝導率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GETE ,  積層欠陥 ,  散乱最適化 ,  熱電材料

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (6件)： GeTe ,  熱電材料 ,  散乱 ,  最適化 ,  積層欠陥 ,  変調