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J-GLOBAL ID：202002257916361944   整理番号：20A1037930

歪エンジニアリングを用いたポリアニリンシートの熱電効率の調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the thermoelectric efficiency of a polyaniline sheet using strain engineering

著者 (2件)： Vishkayi Sahar Izadi (School of Physics, Institute for Research in Fundamental Sciences (IPM), Tehran, PO Box 19395-5531, Iran) ,  Tagani Meysam Bagheri (Department of Physics, Computational Nanophysics Laboratory (CNL), University of Guilan, Rasht, PO Box 41335-1914, Iran)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 53  号： 25  ページ： 255302 (10pp)  発行年： 2020年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元ポリアニリン単分子層(C_3N)は,高い電子移動度を有する間接半導体として最近合成された。密度汎関数理論とGreen関数形式の組合せを用いて,C_3Nシートの電気的および熱的性質を調べた。ジグザグ方向に沿った引張歪は間接的から直接的な半導体への遷移を駆動するが,半導体から圧縮歪下での金属への遷移を駆動することができる。非歪C_3Nシートの熱電効率はpドーピングにおいて高く,その最大値は輸送がジグザグ方向に沿っているときに得られる。その方向に依存しない歪を適用すると,性能指数の減少が見られた。この減少を克服するために,電気輸送と歪が互いに垂直であるとき,C_3Nシートの熱電効率は,歪(引張または圧縮)のタイプに依存して,著しく増加することができることを示した。結果は,歪工学を用いることにより,熱電およびオプトエレクトロニクス産業におけるC_3Nシートの潜在的応用を支持した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Green関数 ,  半導体 ,  単分子層 ,  折れ線 ,  ドーピング ,  エレクトロトランスポート ,  引張 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  熱特性 ,  密度汎関数法 ,  *ポリアニリン
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  圧縮歪 ,  引張歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 歪 ,  エンジニアリング ,  ポリアニリン