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J-GLOBAL ID：202002257938360912   整理番号：20A0388894

HfZrO_xの誘電工学によるAlGaN/GaN HEMTの性能向上【JST・京大機械翻訳】

Enhanced performances of AlGaN/GaN HEMTs with dielectric engineering of HfZrO_x

著者 (13件)： Cui Xiao (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Cui Xiao (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, PR China) ,  Cheng Weijun (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, 100084, PR China) ,  Hua Qilin (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Hua Qilin (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, PR China) ,  Liang Renrong (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, 100084, PR China) ,  Hu Weiguo (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Hu Weiguo (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, PR China) ,  Hu Weiguo (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning, 530004, PR China) ,  Wang Zhong Lin (CAS Center for Excellence in Nanoscience, Beijing Key Laboratory of Micro-nano Energy and Sensor, Beijing Institute of Nanoenergy and Nanosystems, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100083, China) ,  Wang Zhong Lin (School of Nanoscience and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100049, PR China) ,  Wang Zhong Lin (Center on Nanoenergy Research, School of Physical Science and Technology, Guangxi University, Nanning, 530004, PR China) ,  Wang Zhong Lin (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, 30332-0245, USA)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 68  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III族窒化物ベースの高電子移動度トランジスタ(HEMT)は,高出力,高周波(rf)および高温応用のための優れた候補としてよく知られている。しかし,HEMTは,デバイス性能と信頼性を必然的に制限する,高いゲート漏れ電流とドレイン電流崩壊(ゲート遅れ)の本質的な問題に直面しなければならない。ここでは,ゲート誘電体としてHfZrO_x(HZO)を用いることにより,界面および輸送特性を改善できる最適化AlGaN/GaN 金属-オキシド-半導体高電子移動度トランジスタ(MOS-HEMT)を作製した。近年広く注目されている従来の高誘電率(高κ)ゲート誘電体HfO_2と比較して,高品質のHZO層を用いることにより,界面トラップと内部固定酸化物欠陥の濃度を明らかに低減した。HZOの誘電工学を通して,HZO誘電体を有するMOS-HEMTは,最適動作条件で54%の増加を有する強化DC出力性能を示して,それはHfO_2MOS-HEMT(40%)のものより実際にはるかに高かった。そして,HZO MOS-HEMTは,10~6のより高いI_on/I_off比,85mV/10年の優れたサブ閾値スイング(SS),およびより高い電圧スイング(GVS)を示した。ゲート漏れは,-5Vのゲート電圧で,従来の不動態化HEMT(conv HEMT)と比較して,ほぼ8桁減少した。これらの結果は主に低い高さのSchottky障壁(SB)の置換と界面トラップ密度の減少によって引き起こされる。HZO MOS-HEMTの界面及び電気特性をさらに調べるために,動的ゲート/ドレイン電圧及び高周波容量-電圧(C-V)測定を適用した。注目すべきことに,測定可能な電流崩壊とC-Vヒステリシスは明確に観測されず,HZOの誘電工学によるMOS-HEMTの増強された界面と電気的性能を示した。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  不動態化 ,  *HEMT ,  Schottky障壁 ,  誘電体 ,  電流 ,  半導体 ,  酸化物 ,  電圧 ,  最適化 ,  信頼性 ,  ゲート絶縁膜 ,  電気特性 ,  窒化物 ,  界面

著者キーワード (5件)： AlGaN/GaN ,  誘電体 ,  HEMT ,  高κ ,  HfZrO_x

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 工学 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  性能向上