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J-GLOBAL ID：202002258057184020   整理番号：20A0706604

半金属特性を持つ二層VI_3における積層独立強磁性【JST・京大機械翻訳】

Stacking-Independent Ferromagnetism in Bilayer VI₃ with Half-Metallic Characteristic

著者 (5件)： Long Chen (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, P. R. China) ,  Wang Tao (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, P. R. China) ,  Jin Hao (Shenzhen Key Laboratory of Advanced Thin Films and Applications, College of Physics and Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, P. R. China) ,  Wang Hao (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, P. R. China) ,  Dai Ying (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, P. R. China)
資料名： Journal of Physical Chemistry Letters  (Journal of Physical Chemistry Letters)
巻： 11  号： 6  ページ： 2158-2164  発行年： 2020年 
JST資料番号： W3687A  ISSN： 1948-7185  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)強磁性(FM)材料は次世代電子デバイスの基礎として同定されている。しかし,本質的な強磁性を示すまだまれな材料があり,新しい強磁性材料の探索を非常に重要な課題としている。本研究では,密度汎関数理論(DFT)に基づく二層VI_3の電子的および磁気的性質を系統的に調べた。著者らの結果は,二分子層VI_3が半金属特性を示すことを示した。さらに,積層配置に依存しない二層VI_3の強磁性基底状態を観測した。層間結合と層間超超交換(SSE)効果を含むモデルを用いて,強磁性結合の機構を解析した。半金属特性を考慮して,スピンバルブとしての応用を,100%の磁気抵抗を示す量子輸送シミュレーションを用いて調べた。著者らの結果は次世代スピントロニクス素子に対する二層VI_3の応用に対するガイドラインを提供する。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 二分子層 ,  基底状態 ,  二次元 ,  シミュレーション ,  磁気抵抗 ,  *強磁性 ,  密度汎関数法 ,  磁気的性質 ,  *金属性
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  量子輸送 ,  スピンバルブ ,  強磁性結合 ,  電子素子 ,  二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 金属特性 ,  二層 ,  強磁性