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J-GLOBAL ID：202002258072237686   整理番号：20A2017618

二軸p-SnO/n-ZnOヘテロ構造ナノワイヤの成長とNO_2検出特性【JST・京大機械翻訳】

Growth and NO₂-Sensing Properties of Biaxial p-SnO/n-ZnO Heterostructured Nanowires

著者 (13件)： Hung Pham Tien (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University (KNU), Korea) ,  Hung Pham Tien (Department of Physics, Le Quy Don Technical University, Vietnam) ,  Hoat Phung Dinh (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University (KNU), Korea) ,  Hien Vu Xuan (School of Engineering Physics, Hanoi University of Science and Technology (HUST), Vietnam) ,  Lee Hee-Young (School of Materials Science and Engineering, Yeungnam University, Korea) ,  Lee Sangwook (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University (KNU), Korea) ,  Lee Sangwook (KNU Advanced Material Research Institute, Kyungpook National University, Republic of Korea) ,  Lee Joon-Hyung (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University (KNU), Korea) ,  Lee Joon-Hyung (KNU Advanced Material Research Institute, Kyungpook National University, Republic of Korea) ,  Kim Jeong-Joo (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University (KNU), Korea) ,  Kim Jeong-Joo (KNU Advanced Material Research Institute, Kyungpook National University, Republic of Korea) ,  Heo Young-Woo (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University (KNU), Korea) ,  Heo Young-Woo (KNU Advanced Material Research Institute, Kyungpook National University, Republic of Korea)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 30  ページ： 34274-34282  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二軸p-SnO/n-ZnOヘテロ構造ナノワイヤ(平均長さ10μm)を真空中の熱蒸着によりガラス基板上に成長させた。これらのナノワイヤは球状ボールチップを有し,SnO部分のサイズはナノワイヤの上部から底部へ徐々に増加したが,ZnOの対応するサイズはわずかに変化した。先端に形成されたSn-Zn合金はZnOナノワイヤの成長の触媒として決定された。p-SnO/n-ZnO2軸ナノワイヤの成長過程を,その後の成長プロセスに基づく蒸気-液体-固体(VLS)に基づいて議論した:ZnOナノワイヤのVLS触媒成長とその後の成長前のZnOナノワイヤの側壁上のエピタキシャルSnO成長。エピタキシャル関係,(001)_SnO//(110)_ZnOおよび[110]SnO//[002]ZnOを,二軸p-SnO/n-ZnOヘテロ構造ナノワイヤで観察した。合成したままのp-SnO/n-ZnOナノワイヤのガス検知特性を調べた。結果は,このデバイスが,室温(25°C)で,光照射なしでppbレベルのNO_2に対して良好な性能を示した。NO_2に対するp-SnO/n-ZnOセンサの検出限界は50ppbであった。さらに,p-SnO/n-ZnOデバイスのNO_2センシング特性を種々の相対湿度下で調べた。最後に,p-SnO/n-ZnOナノワイヤのNO_2センシング機構を提案し,議論した。Copyright 2020 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  合金 ,  真空蒸着 ,  相対湿度 ,  光照射 ,  *酸化亜鉛 ,  成長段階 ,  検出限界 ,  二軸 ,  ガスセンサ ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  ガラス基板 ,  酸化亜鉛ナノワイヤ ,  ガス検知 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SnO ,  ZnO ,  ヘテロ構造ナノワイヤ ,  二軸 ,  ガスセンサー

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二軸 ,  ZnO ,  ヘテロ構造 ,  ナノワイヤ ,  成長