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J-GLOBAL ID：202002258107322114   整理番号：20A0769649

化学溶液堆積によるエピタキシャル超伝導δ-MoNおよびδ-NbN薄膜【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial superconducting δ-MoN and δ-NbN thin films by a chemical solution deposition

著者 (12件)： Tong H.Y. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Tong H.Y. (University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, China) ,  Zhang H.L. (School of Science, Xi’an University of Posts and Telecommunications, Xi’an, 710061, PR China) ,  Hui Z.Z. (College of Chemistry and Materials Engineering, Anhui Science and Technology University, Fengyang, Anhui, 233100, China) ,  Tang X.W. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Wei R.H. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Song W.H. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Hu L. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Cai C.B. (Shanghai Key Laboratory of High Temperature Superconductors, Physics Department, Shanghai University, Shanghai, 200444, PR China) ,  Zhu X.B. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Sun Y.P. (Key Laboratory of Materials Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China) ,  Sun Y.P. (High Magnetic Field Laboratory, Chinese Academy of Sciences, Hefei, 230031, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 826  ページ： Null  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 13Kと10.3Kの超伝導転移温度(Tconset)を示すエピタキシャル超伝導δ-MoNとδ-NbN薄膜を,それぞれc-カットAl_2O_3基板上に簡単な化学溶液堆積により調製した。δ-MoNとδ-NbN薄膜の鋭い転移と大きな残留抵抗比(RRR)ρ~300K/ρ~開始は,作製したエピタキシャル薄膜の高品質を示唆した。5Kにおける100Oe下の臨界電流密度(J_c)は,δ-MoNおよびδ-NbN薄膜に対して,それぞれ,1.37および0.74MA/cm2であった。結果は,エピタキシャル超伝導金属窒化物薄膜を調製する容易なルートを提供する。Copyright 2020 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *超伝導 ,  *薄膜 ,  残留抵抗 ,  臨界電流密度
準シソーラス用語： *NbN ,  *化学溶液堆積 ,  高品質 ,  超伝導転移温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： エピタキシャル薄膜 ,  超伝導 ,  化学溶液堆積

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学溶液堆積 ,  エピタキシャル ,  超伝導 ,  NbN ,  薄膜