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J-GLOBAL ID：202002258261537771   整理番号：20A0209739

希土類ドープZnO発光材料の4f関連電子遷移の研究:第一原理計算からの洞察【JST・京大機械翻訳】

Investigation of 4f-Related Electronic Transitions of Rare-Earth Doped ZnO Luminescent Materials: Insights from First-Principles Calculations

著者 (8件)： He Lingjun (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, P. R. China) ,  Meng Junling (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, P. R. China) ,  Feng Jing (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, P. R. China) ,  Yao Fen (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, P. R. China) ,  Zhang Lifang (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, P. R. China) ,  Zhang Zhixiang (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, P. R. China) ,  Liu Xiaojuan (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, P. R. China) ,  Zhang Hongjie (State Key Laboratory of Rare Earth Resource Utilization, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, P. R. China)
資料名： ChemPhysChem  (ChemPhysChem)
巻： 21  号： 1  ページ： 51-58  発行年： 2020年 
JST資料番号： W1265A  ISSN： 1439-4235  CODEN： CPCHFT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希土類元素(RE)をドープした酸化亜鉛(ZnO)は,多目的な色調整デバイスへの応用のための有望な材料と見なされている。しかし,基礎となるルミネセンス機構の理解と4F関連電子遷移の規則はまだ限定されており,これは高度なRE系ZnO蛍光体の探索に対して重要である。従って,一連のZnO:Re(RE=Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb)蛍光体を第一原理計算により調べた。一方,ZnO:Re蛍光体のルミネセンスに及ぼす自然欠陥(V_O,V_Zn)の影響も考慮した。従って,4つのタイプの電気双極子許容遷移過程をZnO:Re族において明らかにした。さらに,V_OがZnO:Re蛍光体のルミネセンス性能をさらに改善し,優れたルミネセンスを有する望ましいREベースZnO材料を設計するための洞察を与えることを示した。Copyright 2020 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気双極子 ,  許容遷移 ,  *発光 ,  *希土類元素 ,  蛍光体 ,  *酸化亜鉛 ,  *電子遷移 ,  電子構造 ,  ルミネセンス ,  *ドーピング
準シソーラス用語： *第一原理計算 ,  *発光材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電子構造 ,  第一原理計算 ,  4f関連電子遷移 ,  発光機構 ,  再ドープZnO

分類 (1件)： 物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 希土類 ,  ドープ ,  ZnO ,  発光材料 ,  電子遷移 ,  研究 ,  第一原理計算 ,  洞察